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06-17
半导体行业观察，SiSC编译 在上周的公司电话会议上，德州仪器（TI）表示，将在未来2~3年内将关闭其最后两座毫米（6英寸）晶圆厂，同时在其位于德克萨斯州的理查森工厂建设下一座毫米（12英寸）晶圆厂，美国。
TI 投资者关系总监戴夫·帕尔 (Dave Pahl) 在电话会议上表示：“这将是一项多年计划，预计最迟于 2020 年至 2020 年完成。
” Pahl 表示，这两个毫米晶圆厂每年生产约 15 亿美元的晶圆。
产品中，很大一部分将转移至毫米晶圆厂，从而提高产能和经济效益。
该公司表示，位于理查森的新毫米晶圆厂预计将于今年年底竣工，稍后将根据具体市场需求添加设备。
今年4月，德州仪器公布了这座毫米晶圆厂的建设计划，预计投资31亿美元。
不过，鉴于今年半导体市场低迷，营收形势不理想，TI在理查森投资建设毫米晶圆厂的计划并没有像最初预期的那么顺利，可能会推迟两年。
完成。
该公司表示，建成后，新工厂将能够提供具有竞争力的交货时间和成本的产品，因为较大的毫米晶圆可以生产比毫米晶圆数量多两倍的模拟芯片。
选择理查森的原因之一是它与其现有的 RFAB 非常接近，这有助于提高运营效率。
目前的多模晶圆厂 RFAB 于 2016 年开业，专注于汽车和工业市场。
国外大量毫米晶圆厂关闭。
随着工艺技术的成熟和进步以及市场需求的增加，越来越多的公司采用20nm以下的先进工艺来设计和生产IC和器件。
这导致越来越多的IDM和Foundry淘汰生产效率低下的晶圆厂。
据IC Insights统计，过去10年（年），全球半导体厂商总共关闭或重建了97座晶圆厂。
其中，42毫米晶圆厂和24毫米晶圆厂被关闭，关闭的毫米晶圆厂数量仅占关闭总数的10%。
详细信息如下图所示。
从地区来看，日本关闭晶圆厂数量最多。
以瑞萨为例，该公司最近关闭的两座晶圆厂均为毫米级，其中一座位于日本高知县的工厂，主要生产模拟、逻辑器件和一些较旧的微型元件。
此外，瑞萨电子还将调整位于日本滋贺县大津市的工厂，生产光电器件。
据悉，瑞萨预计将在明年或明年关闭另外两家毫米晶圆厂。
IC Insights预测，随着建设新晶圆厂和制造设备的成本飙升，未来越来越多的IC公司将专注于代工或Fabless模式，同时也将有越来越多的低成本效率晶圆厂被关闭。
德州仪器目前在 9 个国家拥有 15 家晶圆厂。
当然，这些晶圆厂包括即将关闭的过时产能，也包括新增的毫米产能。
今年4月，Diodes完成了对位于英格兰苏格兰格林诺克的德州仪器毫米/毫米晶圆厂（GFAB）的收购。
这也是TI逐步放弃落后产能战略的一部分。
在关停落后产能方面，业内各大模拟及模数混合芯片IDM厂商已达成普遍共识。
除了TI和瑞萨之外，另一大厂商ADI也计划关闭其位于加州圣克拉拉市米尔皮塔斯的毫米芯片工厂。
圆形工厂。
以利润率提升为标准，在模拟芯片市场，TI、ADI、Maxim等厂商的毛利率均高于行业平均水平。
以TI为例，近10年来，其利润和利润率一直保持上升趋势，并在2018年创下新高。
TI表示，创造高利润率与他们利用12英寸晶圆厂，生产模拟芯片并降低成本。
数据显示，TI的模拟芯片年营业利润率为46.7%，但嵌入式处理器的营业利润率仅为29.6%。
近年来，TI一直在稳步提高其毫米晶圆模拟芯片的产量，以降低成本并提高生产效率。
TI表示，MM晶圆厂的产出比竞争对手使用的MM工艺生产的芯片便宜40%。
此外，对于模拟用途，毫米晶圆厂的投资回报率可能更高，因为它可以使用20~30年。
TI将许多逻辑和嵌入式IC生产外包给代工厂，但模拟芯片主要在自己的工厂生产。
该公司目前拥有两座毫米晶圆厂，分别为 RFAB 和 DMO56。
截至2018年，其毫米模拟芯片产量占其整体模拟芯片产量的40%，到2018年，这一比例增至50%左右。
考虑到5G、物联网、汽车和云计算等应用的成熟和大规模扩展将带动相关模拟芯片需求的增长，公司完全有理由扩建毫米晶圆厂，以维持并进一步提升其高利润率。
6英寸线向化合物半导体应用的转变非常令人印象深刻。
行业内大量毫米晶圆厂关闭，越来越多的毫米晶圆厂启动并逐步实现量产。
那么，这是否意味着毫米晶圆正在逐渐退出历史舞台呢？答案是否定的，毫米晶圆仍然有巨大的市场空间。
上述陆续关闭的毫米晶圆厂的制造工艺主要是第一代硅基MOS技术，如BiCMOS、DMOS、金属栅CMOS、多晶硅栅CMOS、BiPolar等。
半导体行业大多数传统工艺技术，生产的芯片也用于传统应用，例如电源管理、照明、热管理和放大器。
这些芯片的性能指标较低，因此其应用市场整体萎缩，其对应的毫米晶圆自然缺乏市场力量。
在新工艺技术和应用的推动下，特别是对相应模拟芯片性能指标提出更高要求，第二代、第三代化合物半导体的市场需求不断增加，发展前景广阔。
这些模拟芯片通常在毫米晶圆上生产。
因此，化合物半导体市场对毫米晶圆的需求依然旺盛，整体仍处于供不应求的状态。
在第二代化合物半导体方面，目前砷化镓（GaAs）是主力。
近年来，LED 推动了化合物半导体技术的进一步发展，新的发展来自于两类光电应用：用于数据网络的激光源和波导技术，以及用于高级 3D 成像的激光二极管和光电探测器技术。
与 CMOS 技术不同，GaAs 需要一些特定类型的设备，例如垂直腔表面发射激光器 (VCSEL)，它将尽可能使用单片工艺。
与传统的多晶圆一次性批量加工不同，这些III-V族材料技术最终将通过3D人脸识别等新兴应用进入更广泛的消费市场。
GaAs主要采用mm和mm晶圆，因为它不需要逻辑芯片的高集成度和先进工艺，相关模拟芯片具有广阔的应用前景，特别是AR/VR和3D成像技术，提供了相应的晶圆。
圆钢厂提供了很大的利润空间。
在第三代化合物半导体方面，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是典型代表。
尤其是SiC，在高功率应用中越来越受欢迎，而这些芯片也是基于毫米晶圆。
的。
目前，越来越多的SiC功率MOSFET应用于电动汽车中。
以美国市场为例，未来10年，美国道路上15%的轻型客车将是电动汽车。
随着越来越多的应用需要高压开关。
6英寸生产线将实现产品替代。
在以MOS为代表的传统硅工艺领域，毫米晶圆市场萎缩，毫米晶圆大量涌现。
这已经成为一种不可阻挡的趋势。
但在化合物半导体领域，随着技术的成熟和进步，特别是在市场应用需求的推动下，相应的毫米晶圆市场变得更加活跃，需求巨大。
因此，毫米晶圆市场冰与火的局面日益凸显。
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