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06-18
中国电子报 在近日召开的“半导体EUV生态系统全球大会”上，全球最大光刻机供应商荷兰ASML表示，今年其极紫外光刻机（EUV）产量将超过50台。
EUV的供应一直受到产能不足的制约。
不过，从去年的22台增加到今年的50台。
预计ASML的EUV总出货量已到达台湾，呈现加速进入的趋势。
与此同时，三星、台积电和英特尔也在继续加强2/3nm工艺的开发。
EUV的加速进入也将加剧三大芯片巨头在先进技术领域的竞争。
EUV年产能将达到90台。
近日，ASML表示，其EUV产量预计将从2018年的22台增加到2018年的32台，2018年增加到42台，今年将超过50台。
ASML还宣布了扩产计划，到今年将EUV和DUV产能分别增加到90台和3台。
ASML还对业界较为关注的下一代高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）进行了新披露。
High-NA EUV初始版本预计将于明年底推出，年底正式商用。
据专家介绍，与DUV浸没式光刻机使用纳米波长的深紫外光相比，EUV光刻系统使用的极紫外光的波长仅为13.5nm。
其单次曝光可以取代DUV的多次曝光步骤，可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进的工艺推进，同时提高效率并降低曝光成本。
不过，芯片制造商目前已将制造工艺推进至3nm左右。
如果他们想继续推进到 2nm 工艺或更小的尺寸，则需要具有更高数值孔径 (NA) 的 High-NA EUV。
与目前数值孔径为0.33的EUV光刻机相比，High-NA EUV光刻机将数值孔径提高至0.55，可进一步提高设备的分辨率，通过多次曝光支持2nm及以下芯片工艺的制造技术。
目前，台积电、三星、英特尔等领先芯片制造商正在大力投资更先进的3nm和2nm技术，以满足高性能计算的需求。
ASML新一代高数值孔径High-NA EUV光刻机成为竞争的关键。
早在2020年7月，Intel就宣布将于2018年量产Intel 20A工艺（相当于2nm），并透露将率先采用High-NA EUV。
今年9月，台积电研发高级副总经理米宇杰也表示，台积电将于2019年获得ASML新一代High-NA EUV光刻机，为客户开发相关基础设施和架构解决方案。
光刻机的竞争也推动了ASML业绩的增长。
ASML首席执行官兼总裁Peter Wennink表示，虽然当前的宏观环境带来了短期的不确定性，但其长期市场需求和公司产能仍将稳步发展。
不断扩大的应用空间和行业创新将持续推动半导体市场的增长。
财报显示，ASML今年第三季度实现净销售额58亿欧元，毛利率51.8%，净利润17亿欧元；第四季度净销售额预计约为61亿至66亿欧元，毛利率约为49%。
；基于第四季度中点预期，全年营收预计约为1亿欧元。
各大芯片厂商正在加紧争夺EUV。
目前，三星、台积电和英特尔都在加强先进工艺的开发。
EUV的加速进入将加剧这种竞争。
据TrendForce报告显示，今年第二季度晶圆代工产值前十名中，台积电第二季度营收为5000万美元，其中5/4纳米营收季增约11.1%，为第一季度第二季度。
营收表现最好的工艺节点，7/6nm工艺节点营收环比增长2.8%。
现阶段台积电的主要目标是提高3nm工艺的产量和良率，并在2020年量产2nm工艺。
其中3nm工艺的升级版N3S和N3P将采用EUV， 2nm 工艺节点将使用环栅 FET (GAAFET) 晶体管。
与3nm相比，性能提升10%~15%，功耗降低25%~30%。
%，生产中需要使用高NA EUV。
台积电业务发展高级副总经理张晓强表示，High-NA EUV设备预计2020年获得，初期主要用于与合作伙伴联合研究，暂不会量产。
具体量产时间为2020年。
三星在5/4nm时代因良率不佳导致订单落后台积电后，希望通过下一代产品技术创新扭转局面。
今年6月，三星量产了第一代3nmGAE工艺。
3nm GAP（GAA-Plus）是第一代3nm工艺的升级版本，预计于2020年推出。
为了支持先进工艺的开发和量产，三星电子副董事长李在镕前往欧洲今年6月与ASML签署协议，抢购EUV设备，并预定明年推出High-NA EUV。
Intel也在快速追赶，每年量产Intel 7（相当于10nm）工艺，今年下半年量产Intel 4（相当于7nm）。
2019年，Intel将发布第14代酷睿，代号Meteor Lake CPU，采用Intel 4。
这是Intel第一个将使用EUV的生产节点。
此后，英特尔还将量产Intel20A，它将广泛使用EUV来最大化晶体管密度，提供不错的性能提升，并降低功耗。
在英特尔的计划中，该工艺平台将与台积电的第二代和第三代3nm工艺技术（N3S、N3P）竞争。
Intel还准备Intel18A（相当于1.8nm），进一步提升产品的PPA（性能、功耗、面积）。
对于Intel18A，英特尔计划使用High-NA EUV。
可以看出，三星、台积电、英特尔三大芯片厂商都致力于推进先进工艺，从10nm、7/5nm向3/2nm演进，并定下了年内的关键时间点。
这也是EUV量产和新一代High-NA EUV量产的时候了。
EUV和新一代高数值孔径EUV的加速进入，加剧了竞争进程。
半导体专家莫大康撰文指出，对于2纳米技术来说，在工艺技术路径上，三大巨头可能并没有太大差异。
它们都从 FinFET 转向 GAA，但有一些变化，并且使用的设备是相同的，都是 ASML。
高数值孔径 EUV 光刻机。
因此，从理论上讲，这三个公司都有可能成功，区别在于良率、产能和产线管理。
但从另一个角度来看，EUV设备应用的好坏也在很大程度上影响着三大厂商在先进技术领域的竞争进程。
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