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06-17
据BusinessKorea14日报道，三星电子在年度财报中表示，由于需求预计将持续强劲，中长期考虑扩大其成熟工艺产能。
该公司正在采取措施提高产品竞争力，并正在密切考虑通过及时投资建设新的晶圆产能。
这是三星电子首次提出在成熟工艺上扩大产能的可能性。
多年来，该公司一直在扩大对系统半导体的投资。
预计今年将加大投资力度，扩大成熟工艺产能。
值得一提的是，其设备投资在2018年创下历史新高（48.0万亿韩元），比去年同期增长25.3%。
此前，三星电子一直致力于开发先进工艺技术而非成熟工艺。
然而，随着半导体行业的繁荣以及成熟的制程市场发展到前所未有的程度，三星电子正在积极扩大相关投资，以应对需求的扩大。
以台积电为例，其传统节点（16nm及以上成熟工艺）份额占其年营收的50%。
三星电子在先进10纳米及以下工艺领域的全球市场份额约为40%。
但成熟工艺领域的份额要小得多。
三星电子计划在今年年底前获得最多的 OEM 客户，并将产量从今年年底增加两倍。
三星电子还将继续推出衍生工艺技术，改进成熟工艺，提高性能和成本竞争力。
今年10月，三星电子宣布将采用基于FinFET结构的全新17纳米工艺，以提高现有28纳米平面结构工艺生产的图像传感器和移动显示驱动芯片（DDI）的生产效率。
在先进制造工艺方面，三星电子今年4月量产4纳米级别产品，缩小了与台积电的技术差距。
它还表示，“我们计划加强对高性能计算（HPC）和汽车市场等高增长市场的应对，并通过确保海外贸易路线来扩大商机。
”三星电子表示，虽然很难获得理想的量产，但将顺利进行3nm以下工艺的量产。
其已成功研发出全球首款采用GAA结构的3nm工艺，预计今年上半年推出该工艺芯片，而基于第三代GAA结构的2nm工艺将于2020年开始量产。
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