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06-21
SiSC点评：谈近几日热炒的“新基建”话题，在主办的《碳化硅发展与机遇》上杂志4月24日在线论坛上，陆敏博士表示，新基建有7个，其中6个与碳化硅有关——可见碳化硅乃至III-V族半导体在未来信息化中将发挥的重要作用尤其是在当前全球疫情前景不明朗的环境下，碳化硅行业不仅仅局限于生存，而是以更广泛的领域划分为新基建，近期密集。
我国十多个省份启动的新基建投资集中在七大领域，大多与科技驱动产业布局和城市功能新旧动能转换有关。
这样的新基建投资可以说在一定程度上为中国乃至世界的下一步发展定下了基调。
新闻链接：1、新基建迸发出“新动力”，紫光FPGA为工业互联发展积蓄动力2、新基建时代碳化硅是六大领域典型应用EEPW《新基建》是最近的热词之一。
国家发改委近日首次明确新型基础设施的范围——新型基础设施是以新发展理念为指导，以科技创新为驱动，以信息网络为基础，面向高质量发展需求，提供数字化服务的基础设施。
转型升级、智能化升级、服务集成创新基础设施体系。
“在以5G、物联网、工业互联网为代表的新基建主要领域，第三代半导体可以发挥重要作用。
”北京大学宽禁带半导体研究中心沉波教授介绍，第三代半导体是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体，具有高频、高效、高功率、耐高压等优越性能。
、耐高温、抗辐射能力强。
是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的关键核心材料和电子元器件。
沉波解释说，与仍然在功率半导体领域占据主导地位的传统硅基器件相比，第三代半导体电力电子器件可以使电子电气设备更加高效、小型化、智能化。
例如，碳化硅基耐高电压、大电流、低损耗的电力电子器件和模块可广泛应用于智能电网、高速轨道交通、新能源汽车等领域；高效率、小体积、中低压氮化镓基础电力电子器件和模块可广泛应用于新一代通用电源，如大数据中心、移动通信基站、物联网电源终端设备，以及手机、笔记本电脑的电源适配器、无线快充源等，拥有巨大的技术优势和市场空间。
其中，第三代半导体射频电子器件已在民用和军用领域实现大规模应用。
尤其是氮化镓射频电子器件及模块由于其高频、大功率、大带宽的性能优势，在5G移动通信基站建设中发挥着不可替代的作用。
我国5G建设的加速将引发对氮化镓的需求。
对射频电子设备的需求正在快速增长。
放眼国际，2019年全球半导体行业整体低迷，但第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈现高增长态势。
龙头企业加强在第三代半导体领域的布局，通过调整业务领域拓展业务领域。
产能供给，整合并购，增强竞争力。
相比之下，我国第三代半导体电力电子和射频电子产业正处于起步阶段，已初步形成从材料、器件到应用的全产业链。
但总体技术水平仍落后世界顶尖水平3-5年，迫切需要突破材料、器件、封装和应用等方面的可靠性和一致性等核心关键技术和工程应用问题。
“新基建的加速，为我国第三代半导体产业的发展提供了宝贵机遇。
国内市场对第三代半导体材料和器件的需求快速增长，终端应用企业也在调整供应链以支撑国内企业以前很难进入供应链，产业链上中游的产品将有机会得到下游用户的验证，进入多个重点制造商的供应链。
” ——第三代半导体产业技术发展战略联盟理事长。
近期发布的《第三代半导体产业技术发展报告(年)》预测预计，2020年我国第三代半导体电力电子器件应用市场规模近亿元，未来五年复合增长率超过40%。
面对这一难得的机遇，于昆山建议我国第三代半导体产业要更加脚踏实地，稳步前行。
“这几年政策资源倾斜严重，很多地方把第三代半导体列为重点扶持产业，并采取多种措施招揽项目，也造成了一些低水平的重复建设。
有鉴于此，各地在大力支持产业发展的同时，还需要注重协调错位发展，做好项目筛选，结合当地现有产业、人才、资源优势，综合考虑财政承载能力和政策成本回报率“此外，第三代半导体产业近两年市场增长迅速。
增长主要得益于国家大力推动半导体产业独立带来的资本流入，以及碳化硅、氮化镓器件在新能源汽车、5G、数据中心等领域的新应用。
然而，当前经济低迷导致消费电子产品下滑。
、汽车乃至工业电机，各类产品市场下滑，出口受阻，下游需求萎缩。
“行业应努力提升产品性能和竞争力，深挖创新应用，在拓展增量市场的同时不断扩大市场份额。
现有市场渗透率推动第三代半导体产业健康持续发展。
同时，要正视“提前投资抢占先机，但市场投放往往低于预期”的矛盾，把握产业发展节奏。
”于昆山强调道。
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