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SK海力士签署先进芯片封装协议

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

硅半导体为下一代HBM建造先进封装设施，并与普渡大学合作研发。

SK海力士将在美国印第安纳州西拉斐特投资约38.7亿美元，建设人工智能产品的先进封装制造和研发设施。

该项目在美国尚属首例，预计将推动美国人工智能供应链的创新，同时为该地区带来千余个新就业岗位。

1HBM（高带宽内存）：一种高价值、高性能内存，可垂直互连多个 DRAM 芯片，与传统 DRAM 产品相比，显着提高数据处理速度。

HBM4是继HBM、HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E之后的第六代产品。

该公司近日在美国西拉斐特普渡大学与印第安纳州立大学、普渡大学以及美国政府官员举行了投资协议仪式，并正式宣布了该计划。

印第安纳州州长埃里克·霍尔科姆、参议员托德·杨、白宫科技政策办公室主任阿拉蒂·普拉巴卡、助理商务部长阿伦·文卡塔拉曼、印第安纳州商务部长大卫·罗森伯格、普渡大学校长蒋蒙、普渡大学研究基金会主席米奇·丹尼尔斯西拉斐特市市长Erin Easter、韩国驻美国大使Hyundong Cho、韩国驻芝加哥总领事Junghan Kim、SK副主席Jeong Joon Yu、SK海力士首席执行官Kwak Noh-Jung和SK海力士封装和测试负责人Choi Woojin出席了此次活动事件。

凭借其在 HBM 市场的主导地位，SK 海力士的新工厂将拥有一条先进的半导体生产线，将批量生产下一代 HBM，这是用于训练的最高性能动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片，是ChatGPT 等 AI 系统的图形处理单元。

该公司计划下半年开始量产，新工厂还将开发下一代芯片，并拥有先进的封装研发线。

选择该地点是因为印第安纳州具有弹性的制造基础设施和研发生态系统、半导体领域的专家知识和普渡大学人才管道，以及州和地方政府的大力支持。

存储芯片的创新将继续推动计算领域的低功耗运行和性能增强。

随着技术的缩小和其他硬件改进达到极限，SK 海力士的新小芯片封装技术已经成为继续承诺提高密度和性能的一种方式。

undefined他们还希望合作开展一个与为人工智能时代生成以内存为中心的解决方案和架构相关的项目，特别是系统级内存设计和内存/近内存计算。

SK海力士签署先进芯片封装协议

该公司还计划与普渡大学和常春藤科技社区学院合作开发培训项目和跨学科学位项目，以培养高科技劳动力并建立可靠的新人才管道。

与此同时，SK海力士计划通过建立提供社区发展、成长机会和领导力培训的合作伙伴关系，支持普渡大学研究基金会和其他当地非营利组织和慈善机构的工作。

此外，SK海力士还将按计划在韩国国内进行投资。

该公司一直在为韩国龙仁半导体集群准备场地，将在那里投资数万亿韩元建设生产设施。

该公司计划于三月份破土动工，预计于今年年初竣工。

还将建造一座小型晶圆厂，配备毫米晶圆加工设备，用于测试半导体材料、组件和设备。

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