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06-17
此次收购将加速 Soitec 在高速增长的 5G、电源和传感器市场的渗透2020 年 5 月 16 日，作为设计和生产法国的全球创新半导体材料领导者Soitec Semiconductor宣布，已与欧洲领先的氮化镓（以下简称GaN）外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议，将以3万欧元现金收购EpiGaN。
该协议还将包括基于盈利支付计划的额外奖金。
EpiGaN的GaN产品主要应用于RF（射频）、5G、电子元件和传感器应用。
预计未来五年，GaN技术的市场应用规模将达到每年50万至100万片晶圆。
Soitec首席执行官Paul Boudre表示：“GaN技术目前在射频和功率市场的应用中备受关注。
GaN外延片材料与Soitec当前优化的衬底产品线将形成战略契合。
收购EpiGaN进一步扩展了Soitec的硅片业务“在移动领域，与4G相比，5G的到来，实现性能、低功耗和成本的联合优化至关重要。
sub-6GHz频段和毫米波正在推动新一代基站的发展，这需要更高能效、更高性能、更小且更具成本效益的功率放大器（PA）。
- 有效是当今基站设计的趋势。
Soitec 将扩展其 PA 产品组合，并通过 GaN 产品引领这一趋势，EpiGaN 联合创始人兼首席执行官 Marianne Germain 博士表示：“EpiGaN 已获得业界认可。
在 GaN 技术领域拥有多年经验，现已开发并优化了适用于 5G 宽带网络应用的现场就绪技术。
我们的技术为Soitec的客户创造了极好的机会，可以为射频设备、高效功率开关设备和传感器设备等新兴高增长市场快速开发产品解决方案。
”EpiGaN董事兼Cornerstone投资公司LRM代表Katleen Vandersmissen表示。
“EpiGaN开发的GaN技术开启了许多未来机遇。
我们相信Soitec作为EpiGaN的优秀合作伙伴，将充分挖掘EpiGaN的市场发展潜力。
”此外，考虑到GaN在功率晶体管设计中的应用，收购EpiGaN也将为Soitec现有的Power-SOI产品创造新的增长空间。
Power-SOI和GaN均可满足智能、节能、高可靠集成电路器件集成高压和模拟功能的要求，从而可广泛应用于消费电子、数据中心、汽车和工业市场。
EpiGaN 将并入 Soitec 业务部门。
日程安排 Soitec 将于 6 月 13 日在巴黎举办资本市场日活动。
关于 EpiGaNE PiGaN 成立于 2007 年，位于比利时东部哈瑟尔特。
它是微电子产学研中心IMEC的衍生公司，是欧洲领先的氮化镓（GaN）技术解决方案供应商。
EpiGaN的技术广泛应用于5G基础设施、物联网(IoT)和智能传感器系统的电源，是电源、电动汽车、无线充电和其他射频电源系统设备创新的关键推动者。
该公司在过去三年内两次入选全球清洁技术公司 100 强。
LRM、Capricorn Cleantech Fund 和 Robert Bosch Venture Capital GmbH 于 2016 年投资了该公司，随后 A-Capital 和 SPFI-FPIM 也对该公司进行了投资。
欲了解更多信息，请访问 关于 Soitec France Soitec Semiconductor 是创新半导体材料设计和生产的全球领导者，以其在半导体领域的独特技术和专业知识服务于电子和能源市场。
Soitec在全球拥有多项专利，基于持续创新满足客户高性能、低能耗、低成本的需求。
Soitec 在欧洲、美国和亚洲设有制造工厂、研发中心和办事处。
Soitec 和 Smart Cut 是 Soitec Corporation 的注册商标。
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