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06-18
IC Insights将年度资本支出增长归因于“中国效应”。
近期，长江存储、华力、中芯国际等设备陆续搬入，也算是一个注脚……受益于半导体行业仍处于周期高端，市场研究机构IC Insight的调查报告指出，2020年全球半导体行业的资本支出将首次突破1000亿美元大关。
报告称，2020年3月，IC Insight曾预计半导体资本支出将增长8%全年百分比。
现在，在不到四分之一的时间里，IC Insight 将其预估从原来的 8% 提高到了 14%。
由此来看，2020年全年半导体支出将首次突破1000亿美元大关，金额同比增长53%。
报道进一步指出，近两年一直是半导体资本支出领先的韩国三星尚未公布全年资本支出金额，但三星确实表示，与去年相比，其半导体资本支出将缩减。
。
2017年，三星在半导体领域花费数十亿美元，是过去三年平均资本支出的两倍以上，创下历史上单一公司最高资本支出记录。
适当的收缩是正常的。
但从实际表现来看，三星并没有出现退缩的迹象，依然踩着加速器做大。
事实上，三星今年第一季度的半导体资本支出达到67.2亿美元，略高于前三个季度的水平。
但与去年同期相比，规模却增长了近4倍。
过去四个季度，三星半导体部门的资本支出已达到10亿美元。
IC Insight预测，三星半导体2018年的资本支出将在1亿元人民币左右，略低于2019年的1亿美元。
不过，今年第一季度的增速略高于此前。
因此，最终的结果很可能会高于预期。
此外，由于NAND Flash和DRAM市场需求强劲，韩国存储器制造商SK海力士也预计将2018年资本支出增加至81亿美元，较2018年的81亿美元增长42%。
SK海力士2020年增加的支出将主要用于在韩国清州建设两座大型存储器工厂。
此外，中国无锡的DRAM工厂也将扩建。
清州工厂将于年底前动工，中国无锡DRAM工厂的扩建也计划于年底前动工，这将比原定计划提前几个月。
年初。
2018年之前，全球半导体资本支出的峰值出现在2007年，当时资本支出为1亿美元。
年度资本支出达到1亿美元，同比增长34%。
三星（1亿美元）贡献最大。
不包括三星，全行业增长率为18%。
因此，IC Insights将其称为“三星泡沫”。
IC Insights将年度资本支出的增加归因于“中国效应”。
最近长江存储、华力和中芯国际搬入设备就是一个脚注。
不过，多位业内人士也表示，每年售出的设备大部分都计入了年收入。
本轮扩张周期的厂商相对激进。
未来市场能否消化释放的产能还有待观察。
从装备行业来看，不少人对当前市场持谨慎乐观的态度。
一些制造商预计，每年的资本支出将会有较大的缩减。
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