被投资公司-焱融科技完成1.2亿元A+轮融资
06-17
浙江大学杭州科技创新中心50毫米，什么概念？字典的厚度、火柴盒的长度……对于日常生活来说，50毫米或许并没有那么引人注目，但对于碳化硅单晶的厚度来说，这个数值却非同寻常！近日，浙江大学杭州国际科技创新中心先进半导体研究院-干晶半导体联合实验室与浙江大学硅材料国家重点实验室成功生长出50毫米6英寸碳化硅单晶（图1），据报道中国首次。
这一重要进展意味着碳化硅衬底的成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业的发展或将迎来新的发展机遇。
厚度加倍！碳化硅单晶的高成本有望降低。
碳化硅（SiC）单晶作为宽禁带半导体材料，对于高压、高频、高温、大功率半导体器件的发展至关重要。
目前，碳化硅单晶的高成本是制约各种碳化硅半导体器件大规模应用和发展的主要因素。
为了降低碳化硅单晶的成本，扩大其直径和增加其厚度是有效的途径。
目前，国内碳化硅单晶的直径普遍达到6英寸，但其厚度通常在~20-30mm之间，导致通过碳化硅锭切片获得的碳化硅衬底数量相当有限。
那么怎样才能增加厚度呢？有什么困难？研究人员表示，增加碳化硅单晶厚度的主要挑战在于生长过程中厚度的增加以及源粉消耗引起的生长室内部热场的变化。
针对这一挑战，浙江大学杭州国际科技创新中心先进半导体研究院-干晶半导体联合实验室与浙江大学硅材料国家重点实验室设计了新型碳化硅单晶生长设备热场，并开发了新型碳化硅源粉的制备方法技术并开发出碳化硅单晶生长新工艺，显着提高了碳化硅单晶的生长速率，成功生长出6英寸、厚度为50毫米的碳化硅单晶。
这一厚度的实现，不仅节省了昂贵的碳化硅籽晶的用量，而且使碳化硅单晶锭切片得到的碳化硅衬底的数量增加了一倍，因此可以显着降低碳化硅衬底的成本。
成本预计将有效推动半导体碳化硅产业发展。
如果厚度增加，质量能保证吗？研究人员分析了从生长的碳化硅单晶锭上切片下来的碳化硅衬底（图1），发现其晶型为4H，典型的X射线衍射峰的平均半峰宽为（）晶面长度为18.47角秒，总位错为/cm-2（图2）。
以上结果均表明碳化硅单晶的晶体质量已达到行业水平。
共同攻克重点问题、解决问题。
浙江省党代会报告提出，推动创新链和产业链深度融合，要加快建设现代科技创新体系和产业体系。
如何利用浙江大学杭州国际科技创新中心的优势资源帮助解决共性技术难题？浙江大学杭州国际科技创新中心一直在探索。
浙江大学杭州国际科技创新中心一直致力于推动产学研深度融合，深化与企业合作，链接全球创新资源，开展高水平、高质量成果转化，共同推动产学研深度融合。
建立创新联盟。
目前，中心已与10余家企业成立创新联合体，浙江大学杭州国际科技创新中心先进半导体研究院-干晶半导体联合实验室就是其中之一。
该成果由浙江大学杭州国际科技创新中心先进半导体研究院-干晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室共同完成。
它是技术创新链接产业创新的体现。
面对业界高度关注的碳化硅单晶成本问题，研究团队聚焦碳化硅单晶厚度，充分整合浙江大学先进半导体研究院杭州国际科学研究院的优势资源与浙江大学技术创新中心、硅材料国家重点实验室合作开展研究。
他们共同攻关，取得阶段性成果，为半导体碳化硅技术的发展做出了贡献。
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