应科院成立“微电子技术联盟”共建微电子及半导体生态圈
06-06
CISSOID与国芯科技签署战略合作协议，共同推动宽带隙功率半导体技术研发和广泛应用功率半导体技术在比利时吉贝尔圣山和中国湖南株洲 – 11 月 15 日 – 各行业所需高温半导体解决方案的领导者 CISSOID 今天宣布，在第五届中国 IGBT 技术创新国际学术论坛上暨产业联盟在湖南株洲召开，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署战略合作协议，将共同开展宽禁带功率技术研发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率的优势。
，并推动其在多个领域的广泛应用。
近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）逐渐开始应用于航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域具有各种性能优势。
取代传统的硅器件。
然而，为了在各种应用中充分发挥宽禁带电源模块的优势，驱动器需要在耐高温、可靠性和保护机制方面提供足够的支持。
CISSOID 是来自比利时的高温半导体解决方案的领先制造商。
其驱动产品已在航空航天、石油、汽车等众多要求严苛的领域得到验证，并已使用10多年。
这些驱动产品耐高温、可靠性高。
可靠性和高鲁棒性等特性可以帮助宽禁带半导体功率模块在各种系统应用中充分发挥其性能优势。
国信科技是中车时代电气与长安汽车、南方电网、格力电器、中环电器等8家企业共同组建的集研发、检测、技术服务于一体的高新技术企业。
主要开展先进IGBT、新型IGCT、MOSFET、功率射频、SiC、GaN等宽禁带功率半导体材料、器件和技术的研发。
国芯科技携手中国IGBT技术创新与产业联盟成立功率半导体创新中心，旨在开展功率半导体行业共性技术研发、相关产品开发、科技成果转移和扩散等工作。
成果转化、技术孵化和商业应用，并提供设计、测试等技术服务，开展人才培训和国际交流与合作。
目前，创新中心已正式获批成为湖南省制造业创新中心，致力于升级为国家制造业创新中心，打造中国功率半导体产业生态聚集圈。
“作为先进功率半导体技术的代表，宽禁带半导体器件具有非凡的性能优势，已在多个领域得到应用。
特别是当前全球新能源汽车的快速发展，进一步推动了宽禁带功率器件的市场规模不断增长。
作为一家密切关注宽禁带半导体发展的企业，国芯科技投入了大量精力进行宽禁带半导体材料、技术和器件的研发，并专门成立了功率半导体创新中心。
”国芯科技总经理戴小平先生表示。
“很高兴与CISSOID签署战略合作协议。
CISSOID多年的高温驱动器和高温封装技术可以帮助宽禁带电源模块实现系统级的耐高温。
、能量密度高，可大大提高电控系统的可靠性。
我们将与CISSOID公司合作开发宽带隙功率技术、模块和系统应用，从而推动我国宽带隙半导体技术的加速发展。
“中车时代电气、长安汽车、南方电网、格力电器、中环电器等都是国内顶尖企业，他们共同投资建设国家核心技术的目的之一就是推动国家核心技术的发展。
” CISSOID非常期待与国芯科技的这次合作，将宽带隙功率模块的效率和性能推向新的高度，我们将使用我们经过验证的、业界知名的高温驱动芯片和高功率器件。
“温度包装设计团队为本次研发合作提供了强有力的支持。
”CISSOID首席执行官Dave Hutton先生表示。
“CISSOID长期以来一直密切关注中国市场，高度重视中国半导体产业的整合和发展。
目前，我们已经整合了来自中国的投资，并与中国企业在芯片制造、 CISSOID与中国顶尖企业联合研发宽带隙半导体功率器件，进一步体现了我们广泛融入中国半导体产业生态的战略和加快中国宽带隙半导体技术发展的决心。
随着新能源汽车等新兴领域的蓬勃发展，宽禁带半导体功率器件越来越受到关注并逐渐普及。
同时，根据市场研究公司Yole Development的报告，近年来功率半导体的平均结温持续上升，很快将达到并超过℃。
因此，通过耐高温驱动器为宽带隙功率器件提供良好的配合非常重要。
CISSOID与国芯科技的此次合作将充分发挥各自的作用。
优势并形成强大合力，利用业界领先的耐高温驱动器件为宽禁带功率器件提供支持，为市场带来高品质的宽禁带功率模块及解决方案，从而助力新能源汽车、轨道交通交通、智能电网、智能家电等领域实现更快发展。
关于 CISSOID - CISSOID 是各行业所需高温半导体解决方案的领导者。
专注于汽车领域，我们可以提供高效的功率转换和精密的电机驱动解决方案：SiC和GaN开关管的高压栅极驱动器、低电感和增强热性能的功率模块，以及超过AEC-Q0℃工作温度的质量标准汽车级组件。
我们针对航空航天、工业以及石油和天然气市场，提供适用于极端温度和恶劣环境的信号调理、电机控制、时钟和电源管理解决方案。
CISSOID产品性能可靠，可在-55℃～℃温度范围内工作。
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