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三星A-die内存已经开始出货,采用1z nm工艺,使得单面32GB成为可能

发布于:2024-06-08 编辑:匿名 来源:网络

三星B-die内存可以说是超频内存中的佼佼者。

它用于大多数高频存储器。

三星用在Qi前段时间推出的DDR4-CL19核心DDR4-CL16御戟套装上。

不过,三星在今年春季宣布将逐步停止生产 B-die 内存。

它将被技术更先进、存储密度更高的A-die内存所取代。

三星A-die内存已经开始出货,采用1z nm工艺,使得单面32GB成为可能

被模具和 M 模具取代。

目前的三星B-die内存是采用20nm级别的工艺生产的,并不是很先进。

被较短线程的进程取代是必然的。

新的A-die和M-die将采用三星的1z纳米级工艺。

技术和存储密度更高。

B-die的单颗die容量只有8Gb,而A-die可以做到16Gb或32Gb,也就是2GB或4GB容量,这意味着单面32GB的内存将成为可能。

Hardwareluxx表示,采用A-die的内存已经进入市场。

他们发现,型号为MA4G43AB2-CVF的内存模组采用A-die,为32GB双面内存。

但由于是官方标准,频率顺序相当保守。

,该内存的频率为MHz,时序为CL21-21-21,工作电压为1.2V。

单看频率其实还不错,但是时机不太好。

不过,这是一个非常早期的产品,所以你还看不到它。

它是什么以及是否可以取代 B-die 还有待观察。

三星A-die内存已经开始出货,采用1z nm工艺,使得单面32GB成为可能

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