租赁市场真的死了吗?
06-18
EETimes 高级 ASIC 领导者 Creative Electronics (GUC) 宣布,该公司的 HBM3 解决方案已使用 TSMC 5 纳米工艺技术以 8.4 Gbps 的速度进行硅验证。
该平台在台积电北美技术研讨会合作伙伴展示区进行了展示。
该平台利用 TSMC 业界领先的 CoWoS? 技术,包括全功能 HBM3 控制器和 PHY IP 以及供应商 HBM3 内存。
HBM 存储供应商制定了积极的路线图,将吞吐量和内存大小从 HBM3 提高到 HBM3E/P,并进一步将 HBM??4 上的数据总线宽度加倍。
但基本的DRAM时序参数保持不变,HBM控制器不断增强,以实现总线的充分利用。
Creative Electronics 的 HBM3 控制器在随机访问期间实现了 90% 以上的总线利用率,同时保持低延迟。
Creative Electronics 的 HBM3 PHY 已在台积电 5nm 技术上进行了硅验证,并于今年年初在台积电 3nm 技术上进行了流片,并准备好支持仍在规划中的 HBM3E/P 存储器。
PHY 通过 CoWoS-S 和 CoWoS-R 中介层上 HBM 总线的角度布线进行验证,抵消了 HBM PHY 和 HBM 存储器之间的差异,从而实现 ASIC 布局灵活性。
Creative Electronics的HBM控制器和PHY IP自2008年以来一直用于客户的HPC ASIC生产。
4级自动驾驶计算机所需的计算量呈爆炸式增长,因此汽车处理器采用了基于2.5D小芯片和HBM3内存的架构。
在恶劣的车辆环境和高可靠性要求下,2.5D互联的持续监控和故障车道的更换成为必要的环节。
Creative Electronics 将 proteanTecs 的健康和性能监控解决方案集成到其所有 HBM 和芯片到芯片接口测试芯片中。

proteanTecs 的技术现已在 Creative Electronics 的 5nm HBM3 PHY 中经过硅验证,速度高达 8.4 Gbps。
在任务模式下的数据传输期间,I/O 信号质量受到持续监控,无需任何重新训练或中断。
每个信号路径均受到单独监控,从而可以在凸点和走线缺陷导致系统运行故障之前识别并修复它们,从而延长芯片的使用寿命。
创意电子总裁戴尚义博士表示:“我们很荣幸能够展示全球首款8.4Gbps HBM3控制器和PHY。
利用台积电的7nm、5nm和3nm技术,我们建立了完整的2.5D/3D小芯片IP产品系列。
凭借台积电 3DFabric? 技术的设计专业知识,包括 CoWoS、InFO 和 TSMC-SoIC,我们为客户的 AI/HPC/xPU/网络/ADAS 产品提供强大而全面的解决方案。
”创意电子技术负责人Igor Elkanovich表示:“我们在2.5D小芯片产品领域积累了深厚的制造经验,这不仅定义了最严格的验证标准,还为我们的产品提供了全方位的诊断功能。
IP满足世界先进汽车制造商最严格的质量条件。
使用 HBM3、GLink-2.5D/UCIe 和 GLink-3D 接口融合 2.5D 和 3D 封装,可实现高度模块化、基于小芯片且不受掩模尺寸限制的新一代处理器。
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