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SK海力士宣布业界首款4D闪存

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

myDrivers消息。

SK海力士宣布业界首款4D闪存

在美国举办的闪存行业大会上，SK海力士是倒数第二个亮相Keynote环节（之前是我国的长江存储）。

它在NAND市场的全球份额排名第五，DRAM份额排名全球第二。

首先是3D NAND的技术路线选择。

SK Hynix 声称，CTF（电荷陷阱闪存）存储单元比浮栅存储单元更小、更快、更耐用（P/E 倍数更高）。

事实上，三星从2018年第一代V-NAND 3D闪存开始就开始使用CTF（电荷捕获型），东芝/西部数据（SanDisk）BiCS也是如此。

当然，美光/英特尔仍然坚持FG（浮栅型），但这并不重要，毕竟他们有更强大的3D Xpoint（基于相变内存，也有说是ReRAM磁阻内存）。

接下来，SK海力士宣布推出全球首款4D闪存。

从现场给出的技术演示来看，4D闪存与长江存储之前的Xtacking非常相似，只不过外围电路（PUC、Peri.Circuits）位于存储单元下方。

有以下三个优点。

一是芯片面积更小；缩短了加工时间，三是降低了成本。

参数方面，号称业界首款4D闪存为V5 Gb TLC，采用96层堆叠，I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1标准），面积13平方毫米。

将于今年第四季度提供样品。

BGA封装最大可达1Tb（GB），模块最大可达2TB，插入2.5英寸U.2时可达64TB。

样品将于今年上半年发布。

性能方面，V5 4D芯片面积比V4 3D小20%，读取速度提升30%，写入速度提升25%。

此外，V5 4D还规划了QLC闪存，采用96层堆叠，每裸片最小容量为1Tb。

将于明年下半年进行样品测试。

展望未来，SK海力士的内部4D闪存已经先进到层堆叠的水平，很快就能达到单芯片GB，年内单芯片8TB。

目前，SK海力士的3D NAND为72层堆叠，单芯片最大可达Gb（64GB）。

第一个企业级产品PE于今年6月发货到微软Azure服务器。

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