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06-17
5月12日，兆易创新宣布与Rambus签署专利许可协议。
业界领先的半导体器件供应商兆易创新宣布与领先的半导体IP供应商Rambus Inc.就RRAM（电阻式随机存取存储器）技术签署专利许可协议。
与此同时，兆易创新还与Rambus及多家战略投资合作伙伴合资成立的合肥Reliance Memory签署了授权协议。
根据协议，兆易创新获得了Rambus和锐科微的多项RRAM技术相关专利和申请，这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM领域的前瞻性技术布局，从而提供更丰富的嵌入式产品。
存储解决方案。
RRAM作为一种非易失性随机存储方式，可以在改变电压的前提下，通过改变电介质的电阻来存储数据。
RRAM 具有独特的物理和器件特性，可以在后端线 (BEOL) 以阵列结构制造。
其阵列结构的低电压特性可以有效降低MCU产品中嵌入式非易失性存储器解决方案的功耗，非常适合物联网应用；此外，根据学术界和工业界发表的相关文献显示，在平衡性能、可靠性和成本方面，RRAM有潜力成为介于DRAM和Flash之间的可行的存储级存储器（SCM）。
兆易创新是一家扎根中国、服务全球的国际化公司。
兆易创新始终密切关注存储领域的技术创新，积极进行战略布局，开拓差异化细分市场。
早在今年5月，兆易创新就携手Rambus等全球知名半导体投资机构，成立了以RRAM技术为核心业务的合资公司合肥锐科微。
兆易创新董事长朱一鸣先生表示：“兆易创新始终以创新为使命，多年来致力于新技术创新，强化产品竞争力，聚焦核心专利。
获得Rambus和锐科微的RRAM技术授权，有助于我们为客户提供更具创新性的存储解决方案。
”Rambus技术合作和企业发展高级副总裁Kit Rodgers表示：“兆易创新在全球闪存领域取得了骄人的成绩。
存储器领域，我们很高兴能够将该解决方案授权给兆易创新，可以帮助其开发存储器领域的创新解决方案并加速其商业化进程。
关于兆易创新 北京兆易创新创新科技股份有限公司（股票代码86）是全球领先的SPI NOR Flash领域的Fabless供应商。
该公司成立于今年4月，总部位于中国北京。
公司在全球多个国家设有分支机构，营销网络遍布全球，致力于各类高速、低速的设计和开发。
-功率存储器和微控制器系列产品，并已通过DQS ISO和ISO1管理体系认证，并与多家全球知名晶圆厂、封装测试厂结成战略合作伙伴关系，共同推动半导体领域的技术创新。
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