首家获得存储器制造商订单的EUV掩模检测设备制造商Lasertec已获得破纪录的订单
06-08
近日，业内人士爆料，高通今年下半年和明年的旗舰处理器将由台积电代工。
根据高通的命名规则，今年下半年的商用旗舰芯片将命名为骁龙8Gen1Plus，明年的旗舰处理器将命名为骁龙8Gen2，两者均由台积电代工。
截至发稿，高通尚未对更换代工厂的事宜做出回应。
据透露的信息，台积电采用鳍式场效应晶体管技术（FinFET）。
赛迪顾问集成电路产业研究中心总经理滕然在接受《中国电子报》记者采访时表示：“台积电基于成本、技术成熟度等多重考虑，将在3nm节点继续采用FinFET结构+EUV光刻，根据公布的信息，台积电针对3nm工艺准备了N3、N3E、N3B三个版本，其中N3预计在今年下半年量产。
据市场预测，3nm工艺将用于iPhone 14或Snapdragon手机处理器上，由于制造iPhone的台积电此前在3nm工艺的开发中遇到了挑战，因此iPhone 14中使用的A16很可能会被采用。
继续采用4nm工艺，骁龙8Gen2大概率会成为台积电3nm工艺的首款芯片。
在全球晶圆代工领域，台积电和三星位列前两名，市场份额合计超过20%。
超过75%。
尤其是在先进工艺领域，几乎没有其他铸造企业能够提供制造服务。
他们的客户几乎涵盖了全球所有的设计公司，包括苹果、AMD、联发科、NVIDIA、高通、博通等。
与台积电不同，三星采用的是环绕式栅极技术晶体管（GAA）工艺，分为3GAE、 3GAP等版本。
根据三星公布的技术路线图，其3GAE（低功耗版本）将于2020年量产，其3GAP（高性能版本）将于2020年初量产。
据消息称，3nm 2020年生产的产品只会供三星内部使用，真正的商用产品要到2018年才会实现量产。
腾然表示：“从目前公布的技术方案来看，GAA将比FinFET拥有更好的沟道控制能力，这可以进一步缩小晶体管尺寸，但也会面临良率和成本问题。
”此前，高通发布的旗舰处理器Snapdragon 8Gen1和Snapdragon均由三星制造。
其中，12月初发布的旗舰处理器骁龙8Gen1基于4nm工艺；而12月发布的旗舰SoC Snapdragon则采用5nm工艺。
对于高通的代工订单之所以从三星转移到台积电，有业内人士认为，这与两家工厂的良率有关。
台积电制造的骁龙8Gen1Plus每季度产量超过5万片，良率超过70%，远高于三星制造的骁龙8Gen1。
不过，创岛投资咨询总经理卜日新并不认为良率是搬迁代工厂的主要原因。
卜日新认为，良率仅决定代工厂的成本，并不是高通改变代工厂的直接因素。
至于高通更换代工厂的原因，卜日新在接受《中国电子报》记者采访时表示：“CPU、GPU等处理器芯片属于算力芯片，是追求制程最积极的。
在制程方面，台积电显然是对于三星来说，这是高通转向台积电的主要原因。
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