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06-06
EDA 晶圆代工龙头台积电位于南科的新 3nm 工厂于去年 11 月底投产，创造了又一个先进制造里程碑。
设备供应链近日透露，台积电3纳米新工厂计划于今年7-8月开业。
相关供应商必须备好机器，准备在今年年中之前进场。
供应链透露，3nm处于试产阶段（下半年）。
），即每月约20,000至30,000件。
量产第一年平均月产能约为55,000件。
年后将达到10.5万件。
根据台积电此前的说法，3nm有望在今年下半年进入量产，当年12英寸晶圆产能有望突破60万片。
供应链透露，3nm目前正准备脱离RD阶段，进入mini产线。
一如既往，苹果会带头，台积电也全力支持。
AMD预计也会效仿，英特尔也有合作计划正在进行中。
供应链还透露，3nm工艺将沿袭7nm（7nm、7nm+、6nm）和5nm（5nm、5nm+、4nm）的“家族模式”。
客户可以在同一工艺节点使用现有的设计基础设施来实现%IP兼容性，这可以加速产品创新和上市速度。
台积电目前也在规划2.5纳米（或3纳米+）工艺，预计下半年量产。
业内人士表示，3nm是台韩晶圆代工双雄的关键之战，两巨头的策略截然不同。
三星将直接采用GAA（环绕栅结构），而台积电则在3nm选择采用FinFET（鳍式场效应晶体管）架构。
2nm不会引入基于GAA技术的MBCFET架构。
他认为最好是在现有架构的基础上进行构建。
取得的突破是为了减少工艺变化，并且相对具有成本效益。
他进一步指出，3nm虽然仍然采用FinFET，但技术水平和投资金额比过去高出很多，挑战也不小。
因此，台积电在产能规划上比5nm更加积极。
除了反映大客户的强烈需求外，也希望客户能够在3nm这一代停留更长时间，为下一代2nm做好充分准备。
此外，竞争对手三星正在努力改进工艺，试图赶上台积电，但鉴于台积电对EUV的把握很好，并取得了良好的进展，这种趋势在可预见的未来不太可能改变。
业内人士指出，台积电目前提供的5nm工艺之后的大规模工艺生产路线图考虑如下：（注：5nm+和3nm之间，计划插入4nm工艺作为第三代5nm工艺，但量产时间未知。
） 5nm：2020年开始量产（台南最先进的“Fab 18”工厂生产） 5nm+：计划2019年开始量产 3nm：计划2020年开始量产（台南工厂竣工，设备齐全） 2020年投产，风险生产计划开始） 3nm+：计划开始量产 2nm：计划2019年开始量产（工艺开发、新竹工厂建设，计划2016年开始风险生产） 1nm：开发中（在新竹总部附近，一家名为“台积电贝尔实验室大型研发中心正在建设中。
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