生物制药CDMO公司“BiInnoBio”获近亿元Pre-A轮融资
06-18
快科技、IT之家、EETime 据外媒报道，与ASML的合作在ITF（IMEC Technology Forum，.ITF）在线论坛上举行在日本东京。
比利时研发光刻机的IMEC正式公布了3nm及以下工艺的微尺度相关技术细节。
IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove首先发表了主题演讲。
他强调，通过与ASML的密切合作，下一代高分辨率EUV光刻技术——高NA EUV光刻技术将实现商业化。
IMEC强调，将继续将工艺规模缩小至1nm及以下。
ASML对于3nm、2nm、1.5nm、1nm甚至1nm以下逻辑器件工艺都制定了明确的发展计划。
ASML已经基本能够开发1nm工艺的光刻设备。
▲IMEC的逻辑器件小型化路线图表明，上游技术节点名下的PP是多晶硅互连线的间距（nm），MP是精细金属的布线间距（nm）。
需要注意的是，过去技术节点指的是最小加工尺寸或栅极长度。
现在它们只是“标签”，并不指某个位置的物理长度。
上述结构和材料，如BPR、CFET和使用二维材料的通道，已分别发表。
EUV 的高数值孔径对于进一步小型化至关重要。
据台积电和三星电子介绍，从7nm工艺技术开始，部分工艺技术推出了NA=0.33的EUV光刻设备，5nm工艺技术也实现了频率提升。
但对于2nm以后的超精细工艺技术，仍然需要能够实现更高分辨率和更高NA（NA=0.55）的光刻设备。
▲当前EUV光刻系统（NA=0.33）与下一代高NA EUV光刻系统（NA=0.55）的尺寸对比。
据IMEC称，ASML已经完成了NXE：系列高NA EUV光刻系统的基本设计，但计划在年内实现商业化。
由于其庞大的光学器件，这种下一代系统将会非常高，很可能会安装在传统洁净室的天花板下。
ASML目前在售的两款极紫外光刻机是TWINSCAN NXE:B和TWINSCAN NXE:C。
D计划明年中旬出货，生产效率将提升18%。
ASML过去一直与IMEC密切合作开发光刻技术，但为了开发使用高NA EUV光刻工具的光刻工艺，在IMEC园区建立了一个新的“IMEC-ASML高NA EUV实验室”，以促进使用高NA EUV光刻工具联合开发和开发光刻工艺。
该公司还计划与材料供应商合作开发掩模和抗蚀剂。
▲ 重点强调PPAC-E，在传统PPAC的基础上增加了E（环境）的工艺小型化。
Van den Hove最后表示：“逻辑器件技术小型化的目的是降低功耗、提高性能、缩小面积、降低成本，也就是俗称的PPAC。
除了这四个目标之外，随着小型化迈向3nm 、2nm、1.5nm，甚至超越1nm，达到亚1nm，我们将努力实现环保、适合可持续发展社会的微处理器。
”他表示将继续致力于工艺小型化，表现出极大的热情。
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