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06-06
韩国三星在发布最新财报时，还宣布计划商业化生产世界上第一个全栅晶体管（Gate-All-Around，GAA）技术芯片。
与领先代工台积电的5纳米节点FinFET技术相比，新工艺技术具有晶体管密度的优势。
三星代工市场策略团队负责人Moonsoo Kang表示，第一代GAA技术，也就是3GAAE制程技术，将于上半年量产，下半年开始商业化生产。
那一年。
三星将按计划继续开发第二代GAA技术，即3GAAP（3nmGate-All-AroundPlus）。
时间点与三星今年6月公布的时间表大致相同。
三星的3纳米工艺技术预计有3GAAE和3GAAP两种型号，基于鳍片中具有多条水平带状线的纳米片结构设计。
这种纳米片设计已作为 FinFET 的后续产品受到研究组织 IMEC 的广泛讨论，并且 IBM 正在与三星和 Globalfoundries 合作进行研究。
三星执行副总裁兼代工销售和营销负责人Charlie Bae表示，三星下一代工艺节点采用GAA结构将使三星能够率先开辟新的智能网络世界，同时也加强三星的技术领先地位。
据技术人员的观点，GAA技术芯片可以在晶体管中提供比FinFET技术更好的静电特性，并满足一定的栅极宽度要求。
这主要体现在相同芯片尺寸结构下GAA通道控制能力的增强，使得芯片尺寸有进一步缩小的可能性。
与传统FinFET沟道仅在三边被栅极包围相比，GAA采用纳米线沟道设计，使得沟道的整个外轮廓完全被栅极覆盖，这意味着栅极对沟道具有更好的控制能力。
三星研究人员将3nm CMOS技术的环栅（GAA）晶体管设计称为多桥沟道（MBC）架构，其中水平层纳米片制成的沟道完全被栅极结构包围。
三星表示，该技术具有高度可制造性，因为它利用了三星现有 FinFET 制造技术的约 90%，并且只需要少量修改掩模。
该技术具有出色的栅极可控性，比同类三星FinFET技术高出31%，并且由于可以通过直接成像改变纳米片沟道宽度，因此设计具有更大的灵活性。
面对三星在其3nm工艺中提前采用GAA技术，台积电的Gate-all-aroundFET（GAAFET）研发仍然是其发展蓝图的一部分。
台积电此前曾报道称，期待“后N3”制程技术，即可能采用N2制程节点。
有市场人士认为，台积电正处于下一代材料和工艺技术的开发阶段，新材料和工艺技术将在未来很多年得到应用。
台积电指出，先进CMOS逻辑方面，3纳米和2纳米CMOS工艺节点进展顺利。
台积电还加强了前瞻研发，重点关注2纳米以上节点以及3D晶体管、新型存储器和低R互连等领域，有望为众多技术平台的发展奠定基础。
值得注意的是，台积电正在扩大Fab12研发和运营能力，以研发N3、N2及更高端工艺节点。
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