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06-18
新闻链接：DRAM市场营收环比增长15.4% 新知讯 据报道，今年年底合肥长鑫产能或突破7万片晶圆/月，这意味着他们未来有望超越南亚，成为全球第四大DRAM芯片厂。
此外，长鑫内存预计将在2020年推出17nm工艺的DRAM芯片。
根据TrendForce今年第二季度发布的全球DRAM内存芯片市场数据，前三大DRAM厂商三星、SK海力士、美光，占全球市场的94.6%（43.5%.1%）。
排名第四的是南亚科技，市场份额仅为3.2%，其他厂商份额均不足1%。
显然，在存储芯片市场，前三大厂商已经形成了强势垄断，留给其他厂商的空间已经所剩无几。
不过，目前国内DRAM厂商合肥长鑫的产能正在快速增加。
预计到今年年底，合肥长鑫的产能可能突破每月7万片晶圆。
据了解，南亚科技目前的DRAM产能约为7.1万片/月。
这也使得合肥长鑫有望挑战南亚科技，成为全球第四大DRAM制造商。
当然，这只是就产能而言。
毕竟产能不等于实际出货量。
资料显示，长鑫目前正在量产采用19nm工艺的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片，已被光威、威刚、江波龙FORESEE等存储品牌厂商采用。
但在DRAM技术方面，长鑫内存比三星等一线DRAM厂商的技术落后2-3年。
因此，快速提升技术水平也是长鑫内存在DRAM市场立足的关键。
根据安徽省今年7月初发布的《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件，希望在2-3年内解决一些关键技术瓶颈。
内存技术方面，要求推动中高端移动低功耗高速LPDDR5 DRAM产品的发展以及平板电脑和消费类产品自主可控DRAM内存芯片的需求，发展先进的低功耗内存芯片。
动力高速LPDDR5产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺攻克高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（Voltage）技术和On-Die ECC技术完成开发低功耗高速LPDDR5 DRAM产品。
目前国内唯一一家实现量产的DRAM内存芯片厂商是长鑫内存，而长鑫内存也是一家位于安徽省省会合肥的企业。
显然，本文件提出的内存技术研究要求也正是对长鑫存储提出的。
根据最新消息，长鑫预计将在2020年完成17nm工艺DRAM芯片的研发，看来长鑫内存的进度正在进一步加快。
此前曝光的长鑫内存路线图也显示，接下来将推出基于10G3工艺的DDR4/LPDDR4x和DDR5/LPDDR5，基于10G5工艺的DDR5/LPDDR5和GDDR6也将推出。
这里的10G3工艺应该指的是17nm工艺。
此外，在专利布局方面，长鑫存储拥有奇梦达留下的1万多份DRAM技术文档和2.8TB数据，这也是长鑫存储的原始技术来源之一。
去年12月，长鑫存储与加拿大Quarterhill Inc.子公司Wi-LAN Inc.联合宣布，长鑫存储已与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited就DRAM内存专利达成协议由原内存制造商奇梦达开发。
专利许可协议和专利购买协议。
根据专利许可协议，1）长鑫存储器已获得Polaris实施大量DRAM技术专利的许可，这些专利来自Polaris今年6月向奇梦达母公司英飞凌购买的专利组合。
年。
2）今年4月，长鑫存储器与美国半导体公司Rambus Inc.签署专利授权协议，获得大量DRAM技术专利。
根据双方协议，长鑫内存已获得Rambus大量DRAM技术专利的实施许可。
除了获得大量的DRAM技术专利外，长鑫内存还通过自主研发积累了大量的DRAM技术专利。
这里需要指出的是，奇梦达的DRAM技术主要是沟槽式DRAM技术，而目前的DRAM厂商如美光、三星等则采用堆栈技术。
在DRAM的制造中，电容器主要分为两种：堆叠电容器和深沟槽电容器。
沟槽式DRAM的电容位于栅极下方，而堆叠式DRAM的电容位于栅极上方。
这是两种 DRAM 之间最大的区别。
在沟槽式DRAM的制造中，必须先在基板上蚀刻出沟槽，然后在沟槽内沉积介电层以形成电容器，然后在电容器上方制造栅极以形成完整的DRAM Cell。
沟槽DRAM工艺最大的技术挑战在于三点：1）随着工艺技术的不断进步，线宽越来越细，沟槽的宽深比增大。
如何蚀刻这样的沟槽是相当复杂的。
技术挑战； 2)在沉积过程中，随着沟槽的开口越来越小，在沟槽内沉积足够的介质材料以形成足够高电容的电容器变得越来越困难； 3)随着采用埋入字线结构的动态随机存取存储器芯片的工艺缩小，字线的结构也在不断缩小。
同时，电子迁移率衰减和饱和速度限制了驱动电流的增加，使得器件性能的提升变得非常困难。
相比之下，堆叠式DRAM则不存在上述问题。
因此，随着工艺节点的进步，沟槽式DRAM的采用者越来越少。
这也意味着长鑫内存在将其DRAM工艺节点从目前的19nm推进到17nm甚至更先进工艺时必须解决这些问题。
值得注意的是，此前曝光的信息显示，长鑫存储已申请了一项名为“半导体存储器件结构及制造方法”的发明专利（申请号：.8）。
本发明提供了一种半导体存储器件结构及其制造方法，用于解决现有技术中动态随机存取存储器(DRAM)芯片的性能越来越难以提升的问题。
据介绍，本发明设计的半导体存储器件的结构中，在锗硅弛豫层填充沟槽内的有源区内分别设置有两个埋入字线结构。
通过这样的设计，侧壁变得宽松。
它会在有源区产生应力，增加沟道内电子的迁移率，从而提高器件性能。
同时，本发明还巧妙地设计了硅锗梯度缓冲层和硅锗弛豫层中的锗与硅的比例，可以有效提高硅锗弛豫层的质量，从而提高硅锗弛豫层的生长质量。
外延硅外延层。
可以说，长鑫存储器在继承了奇梦达沟槽式DRAM技术的同时，也做出了新的技术创新和改进，有效克服了现有沟槽式DRAM技术的各种缺陷，使得DRAM具有很高的产业利用价值。
资料显示，合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超亿元。
位于合肥临空经济示范区，面积约15.2平方公里。
以长鑫12英寸存储晶圆制造基地和空港集成电路为支撑，由产业园、空港国际小镇三个片区组成。
其中，长鑫12英寸内存晶圆制造基地项目是中国大陆首个投入量产的DRAM设计制造一体化项目。
也是安徽省单笔投资最大的工业项目，总投资约1亿元；空港集成电路配套产业园位于基地西侧，总投资超过1亿元；合肥空港国际小镇位于基地北侧，规划用地面积9.2平方公里，规划总建筑面积1万平方米，总投资约1亿元。
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