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06-18
FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）工艺和主流的FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺都是半导体行业的量产技术。
其中FinFET主要应用于高性能设备，例如GPU和CPU。
例如台积电的主流工艺均采用FinFET。
虽然FD-SOI的市场份额不如FinFET，但其优势是功耗较低。
采用22nm工艺生产的器件可以具有与14/16nm FinFET晶体管相当的功耗，并且理论上可以制作在10nm以下。
值得一提的是。
GlobalFoundries已经掌握了12nm FD-SOI技术。
由于功耗低，该技术普遍被认为在传感器、通信芯片和物联网应用中具有巨大潜力。
目前，全球能够提供合规SOI晶圆的供应商仅有3家，分别是法国的Soitec、日本的信越半导体和美国的SunEdison。
由于供应量较小，SOI晶圆的价格远高于主流硅晶圆，差价可贵数倍。
CEA-Leti首席执行官在上海FD-SOI论坛上表示：先进FD-SOI是Edge AI的关键一年。
9月16日，CEA-Leti首席执行官Emmanuel Sabonnadière在第七届上海FD-SOI论坛上发表讲话。
一场专题讨论会解释了先进的 FD-SOI 将如何帮助实现边缘人工智能。
为了充分发挥人工智能在边缘计算方面的优势，该研究所正在研究结合先进的FD-SOI和其他技术的无监督学习神经网络。
其中包括嵌入式非易失性存储器 (NVM)、3D 集成和新设计工具。
Sabonnadière 表示，新方法预计将超越当前使用神经网络进行数字深度学习的性能水平，神经网络能够处理时域信号、声音和语音，并可能导致开发出第一个先进 SOI 的“杀手级应用” 。
由于神经网络根据接收到的新数据来推断事物，人工智能将需要靠近最终用户的紧凑且高效的推理电路。
FD-SOI、3D 集成和 NVM 的结合为专用电路在分布式电子设备的有限功率预算内实现性能的显着提高开辟了道路。
“非常积极的技术节点”年，CEA-Leti创造了FD-SOI技术并成立了Soitec。
与此同时，CEA-Leti 致力于改进和扩展这项技术，特别是在 Edge AI 将使用的非常活跃的技术节点上。
目前，FD-SOI技术已集成到数百万台游戏机和智能手机中，并正在成为游牧电子、汽车工程和物联网（IoT）领域的标准。
这些应用需要高性能处理和极低的能耗。
Sabonnadière表示，未来FD-SOI可能成为联网汽车市场的标准配置，联网汽车需要高效节能的能源处理。
展望未来，Sabonnadière 指出，CEA-Leti 已经展示了 12 纳米及以下先进 FD-SOI 的路线图。
该公司正在与顶级半导体公司进行讨论，希望利用该技术开发新的移动和汽车应用。
CEA-Leti还希望探索在中国开发FD-SOI平台。
CEA-Leti 和 SITRICEA-Leti 开始与上海微技术产业研究院 (SITRI) 持续合作，SITRI 是一个国际创新中心，致力于加速超越摩尔技术的全球创新和商业化，以推动动物互联网的发展。
未来双方将继续合作，推动FD-SOI在中国的发展。
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