【融资24小时】2022年11月14日投融资事件汇总及明细
06-18
紫光展锐只有引入EUV技术的6nm才是真正的6nm，而且这项技术未来还将伴随着可能的5nm、4nm、3nm、2nm、1nm继续前进。
自从英特尔创始人之一戈登·摩尔提出摩尔定律以来，半导体领域一直遵循“当价格不变时，一块集成电路上可容纳的元件数量大约为每18到24个”。
月消耗将翻倍，性能将翻倍。
”技术人员一直在研发新的IC制造技术，以减少线宽，提高芯片产能。
EUV光刻机的出现是一个重大突破，实现了高速、低功耗-功耗和高度集成的芯片生产技术，满足5G对高性能、超带宽、低延迟和海量连接的需求，如此强大的EUV光刻技术的原理是什么？光刻技术是利用光学原理在涂有光敏剂的硅片上印刷图案，并将其曝光，当未曝光的部分被蚀刻掉后，图案就会显露出来，在光刻技术中，主要有以下三种方式。
提高分辨率：一是增大光学系统的数值孔径；二是减小曝光光源的波长；三是优化制度。
与DUV相比，EUV用13.5nm的“极紫外线”替代了nm波长的短波紫外线，在精密图案的光刻方面自然更有优势，可以减少工艺步骤，提高良率。
EUV技术的难点到底是什么？光源产生难度大：nm紫外光子能量为6.4eV（电子伏特，能量单位），EUV光子能量高达91~93eV！这种能量的光子无法通过普通方法发射，甚至激光或灯泡也无法发射。
它的生成方式听起来很不正常。
这需要将锡熔化成液态，然后一滴一滴地滴落。
在下落过程中，锡珠受到激光轰击，使其变成等离子体状态，从而释放出“极紫外光”。
这样的光源使用时间长了之后，里面会溅出很多锡粒，必须定期清理。
发光过程困难重重：EUV不仅能量高，而且对物质的影响极其强烈。
它们几乎可以被任何原子吸收，因此传播路径必须是完全真空。
要将EUV聚焦成合适的形状，只能使用这个由6个凹面镜组成的系统——EUV/X-Ray聚焦系统（EUV/X-Ray Focusing Systems）。
有效功率转换率低：但即使是镜子，每个镜子也会吸收30%的EUV。
整个系统有4个镜子用于照明系统，6个镜子用于聚焦系统。
EUV 掩模本身也是一个额外的镜子，产生 11 次反射。
在此过程中，只有约 2% 的 EUV 到达晶圆。
由于效率低，所需的功率也大幅增加。
ArF光源平均功率为45W，而EUV光源平均功率为w！成本太高：最先进的EUV光刻机每台成本高达1亿欧元，是DUV光刻机价格的两倍以上。
购买后，需要多架飞机来运输整个系统。
此外，EUV光刻机必须在超洁净环境中运行。
光掩模上落下的少量灰尘就会造成严重的良率问题，需要在材料技术、工艺控制、缺陷检验等方面更加重视。
要求高。
最关键的是，EUV光刻机还极其耗电。
它需要消耗电力来对整个环境进行吸尘（避免灰尘）。
它还通过更高的功率弥补了自身能量转换效率较低的问题。
设备运行后每一小时，至少需要消耗一度的电量。
此外，二次电子对光刻胶的曝光、光化学反应的气体释放、EUV对光掩模的侵蚀等各种问题也必须一一解决。
这导致了长期以来EUV产量极低。
在此前公布的信息中，EUV产量仅为日晶圆片的平均值。
结合以上知识点，采用6nm EUV工艺技术的虎本T确实闪耀着高科技和高品质的光彩。
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