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06-21
6月10日，中科院官网发文称，上海光机所计算光刻技术研究取得重要进展。
中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电子技术实验室提出了一种基于虚拟边缘和两相采样掩模像素化的快速光学邻近校正技术（Optical Proximity Correction，OPC）。
。
仿真结果表明该技术具有较高的校正效率。
随着集成电路图案的特征尺寸不断减小，光刻系统的衍射极限性质导致显着的光学邻近效应，从而降低光刻成像质量。
在光刻机软硬件不变的情况下，利用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图案和工艺参数等进行优化，可以有效提高光刻分辨率，增大工艺窗口。
这类技术就是计算光刻技术（Computational Lithography），被认为是集成电路芯片按照摩尔定律持续发展的新动力。
快速光学邻近校正技术（Optical Proximity Correction，OPC）通过调整掩模图案的透过率分布来校正光学邻近效应，从而提高成像质量。
基于模型的OPC技术是实现90nm及以下技术节点集成电路制造的关键计算光刻技术之一。
光刻技术是超大规模集成电路制造的关键技术之一。
光刻分辨率决定了集成电路的特征尺寸。
随着集成电路图案的特征尺寸不断减小，光刻系统的衍射极限性质导致显着的光学邻近效应，从而降低光刻成像质量。
OPC技术通过调整掩模图案的透过率分布来校正光学邻近效应，从而提高成像质量。
基于模型的OPC技术是实现90nm及以下技术节点集成电路制造的关键计算光刻技术之一。
上海光机所研究人员提出的这种基于虚拟边缘和双采样率像素化掩模图案的快速光学邻近效应校正技术，可以将不同类型的成像畸变归因于两种类型的成像异常，即回缩异常。
异常伴有外渗。
利用不同的成像异常检测模板，在掩模图形的边角等轮廓偏移判断位置检测局部成像异常，以确定异常类型和异常区域的范围。
根据异常检测位置和异常区域范围，自适应生成虚拟边缘。
通过移动虚拟边缘来调整掩模版的局部透过率分布，以纠正局部成像异常。
通过校正策略和校正约束实现高效的局部校正和全局轮廓保真度控制。
此外，双采样率像素化掩模充分利用成像系统的衍射极限特性，对粗采样网格进行成像计算和异常检测，对细采样网格进行掩模校正，兼顾成像计算效率和Mask校正分辨率。
使用多种掩模图案进行验证，仿真结果表明该OPC技术的校正效率优于常用的基于启发式算法的OPC技术。
相关研究成果已发表在Optics Express（论文链接）上。
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