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06-18
技术创新引领集成电路装备产业新机遇 作者：泛林集团副总裁、中国区总经理刘二庄博士半导体产业迎来新一轮繁荣。
随着《国家集成电路产业发展推进纲要》、“中国制造”战略、《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》等文件的陆续出台，以及国家集成电路产业投资基金的设立，我们欣喜地看到国家正在极其坚定地投入布局集成电路全产业链。
中央和地方资金共同组建电路产业。
根据国际半导体行业协会（SEMI）发布的调查报告，中国大陆设备市场需求将从2018年的43.7亿美元增长至2018年的4亿美元，预计今年将成为全球第二大半导体设备市场。
行业发展提出多样化的设备需求。
放眼国内，“中国制造”战略的提出、制造业向智能化转型升级、政府大力推动半导体产业的政策导向，都给中国半导体产业带来了无限机遇。
地位也变得越来越重要。
“中国制造”把发展智能制造作为打造中国制造业竞争优势的重要手段。
物联网、人工智能、大数据等新兴产业的崛起将加速智能制造的发展，而这一切的基础和核心都离不开芯片。
丰富的下游应用不仅带动上游市场的快速增长，也带来更加多样化的设备需求。
此外，随着半导体行业的高度整合，资本支出也逐渐趋于理性。
业界不仅不断探索最先进的工艺来满足各种前沿应用，45、40、28纳米等各个成熟节点的产能需求也在稳步增长。
。
除了要求性能提升外，芯片制造商坚持在经济层面控制成本，这对制造过程中的工艺设备提出了更多新的挑战，包括生态控制、原子级控制、长径比的提高以及新技术等。
材料等技术创新推动行业进步。
目前有几项重大技术推动行业向更高水平迈进。
首先，NAND正在快速从2D转向3D，我们预计这种变化在明年不会停止。
它带来了更高的存储密度和更低的成本，可以说是闪存最核心、最根本的改变。
对3D NAND的深入分析表明，这个技术节点本身也在不断向前发展：第一代3D NAND只有32层，现在已经快速进入48层，现在64层已经开始成为主流。
未来几年，3D NAND将得到更广泛应用的同时，技术节点也将从64层推进到96层。
对此，林氏集团推出了一系列领先技术，包括氧化物/氮化物（ONON）薄膜沉积、垂直沟道刻蚀（Channel Hole Etch）、阶梯刻蚀（Staircase Etch）、位线钨原子层填充（LFW）和自对准成像工艺（SADP）可以帮助存储芯片制造商应对当前面临的许多关键挑战，从而推动3D NAND尺寸的持续缩小。
在 DRAM 和逻辑方面，我们看到了多重曝光技术的发展。
一次曝光已经不能满足器件的要求，必须通过多次曝光技术来完成。
该技术有两大趋势：一是LELE法（光刻-刻蚀-光刻-刻蚀），即通过多次曝光、再曝光再刻蚀进行刻蚀；另一种是比较主流的自对准方法。
后者要求沉积和蚀刻具有极高的均匀性，而这正是林氏集团的强项。
例如，林氏集团开发了Hydra?新型晶圆静电吸附盘温控系统，在原有多区温控的基础上进一步细化温控区域。
Hydra?系统可以针对之前的构图工艺带来的均匀性问题提供针对性的补偿，并且可以大大提高自对准多重曝光技术的精确控制，使晶体管从平面走向三维成为可能。
我国集成电路制造业不断加快发展。
我们相信技术创新是推动行业前进的重要动力源泉。
纵观创新技术的演进，作为一家技术导向型企业，林氏集团不断加大技术投入，加强与产学界的合作，支持我们在上述前沿技术上的不断进步。
我们努力帮助客户成功，为中国半导体行业的发展做出积极贡献。
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