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06-06
据外媒报道：为了抢占芯片代工市场，三星还计划实施低价策略扩大市场份额，同时开发制程微缩技术。
据台湾公司TrendForce预测，三星芯片代工业务今年第四季度营收预计同比增长19.3%，但仍难以缩小与台积电的差距。
集邦咨询研究机构预计，今年Q4全球芯片代工总产值将环比增长6%。
市场份额前三名分别是：台积电52.7%、三星17.8%、格罗方德8%。
针对5G、TWS耳机等新应用市场的拓展，市场上推出了一系列5G芯片，包括华为麒麟5G SoC、华为巴龙、联发科天玑5G SoC、高通骁龙、紫光展锐、三星Exynos等这些高端芯片均由台积电代工，使其7nm生产线达到满负荷生产，订单供货期从两个月延长至六个月。
新推出的高通骁龙旗舰芯片以及骁龙系列中高端芯片均采用最新的7nm工艺打造，但骁龙的7nm“N7P”工艺显然比普通的7nm先进很多。
不过这款原本由三星代工的旗舰芯片最终被交给了台积电，三星只能拿到骁龙系列中高端芯片的订单。
三星之所以在5G高端芯片代工业务上受到限制，主要是因为其IDM地位，而不是产线技术以及完成的早晚。
据悉，三星的7nm布局比台积电提前了几个月（但进度稍晚），目前仍无法获得高端芯片Snapdragon的订单。
三星的7nm生产线仅分配给中端S和SG订单。
真正的原因是高通担心三星“复制”该芯片的工艺技术。
就三星而言，市场对明年的5G手机寄予厚望，这减缓了自有品牌高端4G手机的需求。
不过，由三星生产的高通5G SoC将于第四季度末出货，有望弥补手机销量原本的下滑。
地位。
----------三星的工艺现状和未来计划 三星在10nm、7nm和5nm节点的进展将晚于台积电。
如此一来，台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单，而三星则只抢了IBM、英伟达和高通的部分订单。
不过，三星已经把目光投向了未来的3nm工艺，预计在2020年完成开发，并在2020年实现量产。
在3nm节点，三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅晶体管技术。
3nm工艺采用第一代GAA晶体管，官方称为3GAE工艺。
基于新的GAA晶体管结构，三星利用纳米片设备创建了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥通道场效应晶体管）。
该技术可以显着增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
此外，MBCFET技术还与现有FinFET制造工艺技术和设备兼容，从而加速工艺开发和生产。
与目前的7nm工艺相比，5nm工艺可减少核心面积45%，功耗降低50%，性能提升35%。
与5nm工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提升了35%以上，功耗降低了50%，性能提升了约30%。
工艺进度方面，三星已于今年4月在韩国华城的S3 Line工厂生产7nm芯片，并将于年内完成基于极紫外技术（EUV）的5nm FinFET工艺技术的研发。
现在三星正在研究下一代纳米技术（即3nm GAA）。
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