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06-17
Floating Gate工艺打造的SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。
该系列产品容量覆盖16Mb至Mb，支持低功耗、宽电压运行，可为物联网、可穿戴设备等功耗敏感应用提供灵活的设计解决方案。
XM25QWxxC系列产品在1.65V至3.6V电压范围内读取速度高达MHz（支持所有单/双/四通道SPI和QPI模式），可以更好地支持电池供电便携式产品的工作要求。
电源电压下降后，时钟速度丝毫不减慢，其传输速率可优于8位和16位并行闪存。
在连续读取模式下可以实现高效的内存访问。
读取24位地址仅??需8个时钟指令周期，从而实现真正的片内执行（XIP、eXecutePlace）操作，从而使系统可以直接从Flash存储器中读取。
指令在系统内部读取并执行，无需将代码读入RAM中执行，加快了数据处理速度，更好地满足各种嵌入式应用的实时性要求。
该系列产品不仅在电压范围和数据读取方面表现出色，其工作温度也可达到-40℃至℃的工业温度范围，可满足物联网、工业控制、通信的要求以及其他具有苛刻外部工作环境的应用。
模块。
乐鑫科技对此表示：“我们与武汉新芯合作的该系列产品容量覆盖16Mbit，其新产品支持低功耗、宽电压运行，高温可达℃，可以满足需求乐鑫全系列物联网芯片针对智能家居和工业模块的应用需求，“XM25QWxxC系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封装外，还将针对尺寸受限的中高容量产品推出WLCSP封装。
可穿戴设备等应用帮助客户最大限度地提高空间利用率。
。
全线产品支持已知良好芯片（KGD）解决方案，并为客户提供RDL服务，以满足其定制化SiP需求。
“XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm浮栅工艺，进一步提高了其在性能和成本方面的竞争力。
”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示：“鉴于物联网和5G市场的快速发展，武汉新芯将持续投入自主品牌闪存产品的研发，继续拓展我们的产品线，为客户带来更高性价比的产品和解决方案。
”武汉新芯的50nm产品在沟道长度、布局、设计规则和外围电路方面都有出色的表现。
经过优化，有效节省芯片面积，总体成本全球最低。
其中Mb大容量、宽电压产品的裸片尺寸比市场主流产品小约15%-20%，并且可支持SOP8小尺寸封装。
基于公司在NOR Flash领域先进的闪存研发技术和高效的产品研发体系、稳定可靠的生产平台和快速响应的交付能力，武汉新芯有信心将自主品牌NOR Flash业务推广到PC、通信、电力等领域。
在高端应用市场，更大容量、更小体积、更低功耗、更高标准的后续产品也将逐步推向市场。
自2018年第一片NOR Flash晶圆下线以来，武汉新芯在闪存领域积累了十多年的研发和制造经验。
通过与闪存领域世界级企业Spansion（现Cypress）联合研发，不断迭代工艺技术。
武汉新芯NOR Flash工艺节点已经从最初的90nm延伸到65nm，甚至到了更先进的45和32nm。
武汉欣欣凭借先进的过程控制水平和稳定的质量保证及供货能力，成为全球知名客户值得信赖的合作伙伴。
2019年，全球半导体行业持续深度调整整合，市场出现小幅衰退。
武汉新欣需要重新思考公司如何在现有业务的基础上寻求新的利润增长点？此时，国内半导体厂商重点追求高端工艺。
为了有效管控企业风险、平衡产能利用率，武汉新芯选择另辟蹊径，决定为深耕多年的NOR Flash业务深度探索新的增长路径。
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