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06-17
兆易创新近日，第十一届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研究与创新趋势展望研讨会在深圳盛大开幕。
兆易创新创新内存事业部产品营销经理张静受邀出席。
她以“持续发展，兆易创新新一代存储产品助力行业创新”为主题，分享了兆易创新在嵌入式存储领域的广泛布局以及对行业的定位。
对技术变革浪潮的创新思考，共同探讨“半导体行业波动周期”下存储器市场的发展趋势。
GD Flash的创业之路：14年实现出货量1亿颗 众所周知，Flash是一种非易失性存储器。
在停电或断电的情况下，存储的内容不会丢失。
大多数电子系统的必备组件。
作为一家以存储器起家的公司，兆易创新于2016年推出了国内首款SPI NOR Flash，经过多年的产品研发和市场拓展，Flash产品累计出货量已突破1亿颗，市场份额一直稳定。
推动。
“十年前，Flash的应用场景是U盘、DVD、液晶电视等消费类产品；十年后，汽车、工业、物联网、5G通信等领域已成为Flash的热门应用场景。
”张静在演讲中表示：“紧随技术变革步伐，兆易创新创新闪存持续引领突破，目前提供27个产品系列、16种产品容量、4个电压范围、7个温度规格和29种封装方式，涵盖了几乎全部需要代码存储的应用场景《兆易创新展示的创新内存产品》那么，开发者如何选择合适的Flash产品呢？张静从不同的应用领域对Flash的容量、读取性能、封装等方面进行了解读。
在容量方面，根据应用和系统复杂程度的不同，不同嵌入式系统中存储代码所需的Flash容量差异很大。
例如，消费类电子产品所需的Flash容量为Kb~4Gb，而物联网设备所需的Flash容量为1Mb。
?MB。
目前，兆易创新创新的NOR Flash系列提供从Kb到2Gb的容量，其中Mb、1Gb、2Gb大容量SPI NOR Flash产品填补了国内NOR Flash的空白； SLC NAND闪存系列提供从1Gb到8Gb的容量。
赋能消费电子、PC外设、网络通讯、汽车/工业等领域满足大容量存储数据的需求。
性能方面，兆易创新GD25T/LT系列是业界首款超高性能、超高可靠性汽车级4端口SPI NOR Flash产品，数据吞吐量高达MB/s，内置ECC算法和CRC校验功能。
，可以满足汽车应用的严格要求。
GD25X/LX系列进一步扩展，是8端口SPI NOR Flash产品。
数据吞吐量可达MB/s，实现业界最高水平的产品性能，赋能广泛的汽车电子应用。
在封装方面，兆易创新在存储行业处于领先地位。
例如，在64Mb容量方面，兆易创新推出了业界超小尺寸3 x 2 x 0.4 mm FO-USON8封装产品，与传统的3 x 2 mm USON8封装完全兼容，最大传统3 x 2 USON8封装支持的容量为32Mb。
这意味着开发者无需修改PCB，只需更换一块兆易创新FO-USON8封装的Flash即可实现容量翻倍。
不仅如此，今年5月兆易创新推出了采用3 x 3 x 0.4 mm FO-USON8封装的GD25LEEXH芯片。
这是业界可实现的 Mb 容量的最小塑料包装产品。
它与传统的3 x 4 mm USON8封装完全兼容，传统3 x 4 mm USON8封装最大支持容量为64Mb。
开发者无需更换PCB，通过更换GD25LEEXH芯片即可实现容量翻倍，可以很好地满足可穿戴电子产品“轻薄”的要求。
“小、小”的追求。
探索先进工艺SoC的高能效应用，1.2V超低电压Flash为绿色碳贡献力量。
随着双碳概念的发展，高能效、低功耗的应用需求在半导体领域日益凸显。
与此同时，面向移动设备、云计算、汽车电子、可穿戴设备等应用的SoC主芯片也正在向7nm及以下先进工艺迈进；一般来说，工艺节点越先进，SoC主芯片性能和功耗就越高。
越低。
此时SoC的核心供电电压也已降至1.2V。
如果采用传统的1.8V NOR Flash，外围电路设计会变得复杂，产品开发难度也会增加。
如下图所示，左边的方案是核心电压为1.2V的SoC与1.8V NOR Flash通信。
SoC设计需要添加升压电路，将内部1.2V电压提升至1.8V，以匹配外部NOR Flash的1.8V。
V电压电平，这显然增加了电路设计的复杂性并增加了整体功耗。
右边的解决方案是NOR Flash核心供电和IO接口供电电压均为1.2V，与SoC核心电压1.2V一致。
这可以简化电源设计，消除SoC中对升压电路的需要，并降低系统功耗。
针对这一趋势，兆易创新推出了1.2V SPI NOR Flash-GD25UF产品系列，该产品在1.2V工作电压下的数据传输速度、读写功耗等关键指标均达到国际领先水平，可易于适配 核心电压为 1.2V 的先进工艺 SoC。
同时，与1.8V NOR Flash相比，1.2V GD25UF系列Normal模式下相同电流下功耗降低33%；低功耗模式下，同频率下功耗降低70%。
这些出色的特性使 GD25UF 系列成为下一代可穿戴和移动设备的优先选择。
此外，针对高性能和低功耗的双重需求，兆易创新提出了核心供电1.8V、IO接口电压1.2V的NOR Flash解决方案——GD25NF产品系列。
该产品为先进工艺SoC的电路设计提供了新的解决方案：Flash的IO接口电压为1.2V，核心电压为1.2V的SoC无需添加升压电路与之通信，简化了SoC电路设计; Flash核心供电为1.8V，可保持超高的读取和擦除性能，整体上相比传统1.8V方案，读取功耗可降低高达40%。
因此，该解决方案也受到了集成商和整车厂的广泛关注。
GD25NF产品系列目前正处于样品交付阶段。
作为嵌入式存储领域的领导者，兆易创新不仅关注容量、性能、封装、电压等关键要素，还持续关注存储器关键的可靠性、安全性等方面，赋能新一代存储芯片满足数千个行业的应用需求，助力行业加速创新。
研讨会同期，E维度智库首届“年度硬科技产业奖”评选活动暨颁奖典礼成功举行。
兆易创新荣获“中国技术发展奖”和“‘鄂’马领军新产品奖”两项奖杯！ 【近期会议】11月1日至2日，雅石国际商报联合太仓市科技局将举办“化合物半导体先进技术及应用大会”。
我们诚挚邀请您齐聚江苏太仓，共创行业新未来。
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