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06-17
集微网、新墨研究等 3月1日，新墨研究获悉，受到美国制裁的中芯国际与美方沟通取得重大突破状态！美国商务部、国防部、能源部、国务院四部委已批准美国领先设备制造商向中芯国际供货14纳米及以上（14纳米及其他28个成熟工艺）的供货许可设备（不知道，ASML最先进的DUV设备包括在内吗？）。
不仅如此，中芯国际申请但未获批准的14纳米晶圆外延关键设备也已获批。
至于10nm及以下技术节点的出口许可，目前还没有任何进展。
这对于中芯国际乃至整个国内半导体行业来说都是重大利好消息。
14纳米以上成熟工艺对中芯国际的营收贡献最大。
此次供货许可证的成功获批，不仅意味着中芯国际的经营和业绩将恢复正常，也标志着中芯国际与美国相关部门的沟通与合作已经重新建立，这将为中芯国际的进一步发展铺平道路。
以及未来的美国公司。
协作消除障碍。
这不仅让中国芯片产业兴奋，也缓解了中国芯片产能紧张的局面，为中国芯片设计企业的快速发展提供了产能保障。
原因是：一是中芯国际努力奋斗；二是中芯国际努力奋斗。
其次，美国设备供应商看重中国市场；第三，目标达到了，既可以缓解美国厂商的压力，也可以缓和两国之间的贸易摩擦，最终划清限制发展的界限。
至于暂时的“受益者”，中芯国际可以趁机扩大14纳米或28纳米产能。
兴正电子指出，中芯国际获得成熟工艺许可的确定性很强，即获得28nm及以上节点的许可。
目前看来14nm也已经获得了许可，这超出了预期。
这意味着中芯国际在先进工艺领域的发展还将持续，公司将继续享受14nm长工艺节点的红利。
据中芯国际去年底披露，该公司14nm工艺已于今年第四季度投入量产，良率已达到行业量产水平。
与此同时，第二代FinFET已进入小规模试产。
财报显示，按照技术节点分类，中芯国际今年第三季度和第四季度14/28纳米营收占比分别为14.6%和5%。
资料中芯国际第四季度财报。
受成熟工艺需求激增和地缘政治因素影响，中芯国际联席CEO赵海军在今年2月召开的第四季度电话会议上表示，公司重点发展先进制造工艺有三个主要思路：一是确保生产的连续性，公司将继续与供应商合作申请出口许可证；二是谨慎扩大生产。
去年年底，该公司完成了0台装机的目标，但还远远谈不上经济。
规模还很遥远，如需进一步扩大，需完成出口许可证申请流程；第三，公司将考虑加强针对第一代和第二代FinFET多平台开发的组件，并扩大平台的可靠性和竞争力。
此外，中芯国际预计每年资本支出为43亿美元，其中大部分将用于成熟工艺的扩展，小部分用于先进工艺。
兴正电子认为，就中芯国际自身而言，随着其他相关美国供应商逐步获得许可，在当前全球产能吃紧的行业背景下，相信中芯国际14nm及以上工艺节点的扩产将超过之前的计划，公司长期代工市场空间将进一步打开。
这些公司在14nm上取得了突破，克服了“卡脖子”。
另一方面，就产业链而言，中芯国际获得牌照事件意味着国内晶圆厂存储厂未来扩张的可见性和确定性。
我们继续看好晶圆厂存储工厂产业链中设备和材料的长期发展机会。
值得一提的是，近年来国家政策多次提到加快攻克先进半导体工艺等“卡壳”技术，其国产化诉求日益强烈。
在政策推动和技术积累下，我国产业链在装备、材料、晶圆制造等领域取得了长足进步。
设备方面，北方华创可用于14nm工艺的硅刻蚀机已进入生产线进行验证；中微16nm刻蚀机已实现商业量产，7-10nm刻蚀机达到世界先进水平；亿唐半导体的胶水和快速退火产品市场占有率位居全球第二；上海微电子光刻机应用水平为90nm，预计每年可交付28nm浸没式DUV光刻机。
材料方面，安吉科技的TSV抛光液处于行业领先水平，并在14nm节点实现了小规模量产；上海硅业12英寸硅片已获得客户认证超过50个产品规格，8英寸及以下硅片已获得认证。
产品规格超全，产品获得台积电、中芯国际、华润微等多家芯片制造企业认可。
在晶圆制造方面，为了缩短与全球最先进工艺的差距，中芯国际不断加大先进工艺研发投入。
先后完成28纳米HKC+工艺和第一代14纳米FinFET工艺的研发并实现量产。
第二代FinFET工艺的研发也在稳步推进，已进入客户导入阶段。
同时，采用该公司先进FinFET技术的晶圆上制造的芯片已广泛应用于智能手机、平板电脑、机顶盒等领域。
公司研发费用率较可比上市公司高出约12%。
预计下游高端手机AP/SOC、基带芯片、CPU、GPU、矿机ASIC等需求的逐步增加，将为进一步缩小先进工艺差距提供更强大的动力。
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