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IEMN结果显示，ALLOS的硅外延片上新型氮化镓产品击穿电压超过VVilleneuve-de-Asker，法国，以及德国德累斯顿 - 2019年2月1日 - 来自电子、微电子和纳米技术研究所（IEMN）的最新结果显示，ALLOS即将推出的适用于V器件的GaN-on-Si外延片产品，其垂直和横向命中超过V通过电压。
由法国 IEMN 研究所的 Farid Medjdoub 博士领导的团队制造了这些器件，并对德国 ALLOS Semiconductors 提供的两种不同的硅基氮化镓外延片产品进行了测量。
其中之一是 ALLOS 即将推出的产品原型，专为 V 设备应用而设计。
通过该外延片，IEMN 实现了超过 V 的纵向击穿电压和 V 的横向（地）击穿电压。
另一种外延片是 ALLOS 针对 V 应用推出的成熟产品，它也表现出非常高的 V 击穿电压和更高的击穿电压。
横向和纵向测量。
适用于 V 器件应用的新型外延片产品来自 ALLOS 正在进行的内部开发计划。
该产品的强劲性能归功于创新结构，该结构结合了 ALLOS 独特的应变工程方法和高晶体质量，以及抑制泄漏和进一步提高击穿电压的附加措施。
这种强大的性能是在不牺牲其他基本参数（例如晶体质量或晶圆曲率）且不引入碳掺杂的情况下实现的。
外延生长在标准 Aixtron G5 MOCVD 反应器上进行。
11 月在北京举行的国际第三代半导体论坛 (IFWS) 上，ALLOS 展示了行业合作伙伴使用 ALLOS V 外延片的器件结果。
凭借经过验证的器件设计和高达 V 漏电流的测量设置，可实现 V 电压下的 0.μA/mm2 值和 V 电压下的 0.μA/mm2 值。
“来自合作伙伴的反馈对我们来说确实是个好消息，因为它再次证明了我们在V应用方面强大的技术实力。
” ALLOS 首席技术官 Atsushi Nishikawa 博士解释道，“现在最大的问题是，在 V 之上的电压什么情况下会发生物理击穿，以及我们是否能够在 V 领域继续取得成功。
”根据 IEMN 显示的结果，现在可以给出答案了。
它使用简化的设备设计和流程来比工业流程更快地获得反馈。
在用于 V 器件的 ALLOS 新型外延片产品原型上，IEMN 实现了超过 V 的纵向和横向（接地）击穿电压（分别为图 1 (a) 和 2 (b)）。
使用浮动测量装置进行补充表征，在接触距离为 12 μm 时产生超过 V 的横向击穿电压（图 1 (c)）。
对于 7 μm 厚的外延叠层，在 4 μm 接触距离处击穿电压超过 V，在 12 μm 接触距离处发生横向浮动击穿电压饱和（图 1 (d)）。
IEMN的Farid Medjdoub博士在全面公正地审视了这些结果后给出了如下解释：“在衬底接地的情况下，ALLOS外延片可以实现超过V的纵向击穿电压和超过V的横向击穿电压，这是明显比我们好。
“此外，我们从各个行业和研究合作伙伴迄今为止测量的所有样品中看到的结果表明，整个晶圆上的器件性能非常均匀，这对于实际器件生产来说是一个非常重要的特性，”V.On 外延说IEMN 的垂直击穿电压为 V，水平（接地）击穿电压为 V。
两种外延晶圆产品均未掺杂碳。
硅基氮化镓制造商经常使用碳来增强分离，但会对晶体质量和动态开关行为产生负面影响。
这两种产品均提供微米厚度（适用于毫米晶圆直径）和微米厚度（适用于毫米晶圆直径）的产品。
所有ALLOS外延片产品的曲率严格控制在30微米以下。
“现有的结果表明，我们在横向上已经达到了 1.7 MV/cm 的水平，在纵向上达到了 2 MV/cm 的水平，并且我们有一个旨在实现外延片水平进一步改进的计划。
现在是时候与 V 产品系列合作伙伴进行行业合作，建立牢固的合作伙伴关系了。
”ALLOS 首席执行官 Burkhard Slischka 说道。
“由于我们是一家纯粹的外延晶圆技术提供商，没有自己的设备制造业务，因此我们希望与经验丰富的电力电子厂商密切合作，以利用他们基于硅基氮化镓的 V 应用所带来的机会。
凭借我们的技术，硅基氮化镓有潜力与碳化硅的性能相媲美，而成本仅为晶圆的一小部分。
”关于 IEMN：IEMN 是一个微米和纳米技术研究中心。
我们研究活动的核心是信息技术、通信、能源、交通和健康领域。
为了开展工作，我们的研究人员充分利用优良的实验设施，包括欧洲最好的 m2 洁净室和最先进的科学仪器。
我们的科学政策不仅由研究驱动，还通过与一些行业领导者建立特殊合作伙伴关系来推动。
关于ALLOS Semiconductors：ALLOS是一家知识产权许可和技术工程公司，致力于帮助全球半导体行业的客户掌握硅基氮化镓技术并利用其优势。
ALLOS 为其专有技术和专利提供许可服务，并将技术转移到客户的 MOCVD 反应器中。
此外，ALLOS 还为客户提供具体的解决方案和咨询服务，以应对下一代硅基氮化镓的开发挑战。
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