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06-18
目前半导体工艺微缩已达到10纳米节点以下，EUV极紫外光刻技术已成为不可或缺的设备，包括目前的7纳米工艺，而未来的5nm、3nm甚至2nm工艺都将采用该技术。
引进EUV设备不仅可以加快生产效率、提高良率，还可以降低成本。
除了晶圆代工厂外，DRAM内存制造商也在考虑引入EUV设备。
为了应对工艺微缩的市场需求，全球EUV设备主要制造商ASML正在积极开发下一代EUV设备，即High-NA（高数值孔径）EUV产品，预计将正式上市几年之内就可以批量生产。
据韩媒《ETNews》报道，High-NA的EUV设备与现在的EUV设备最大的区别在于，在使用EUV曝光时，分辨率和光刻叠加是通过提高镜头分辨率来实现的。
该能力比现有EUV系统提升70%，满足业界对几何芯片微缩的要求。
ASML采用德国蔡司半导体事业部的技术来提高镜头分辨率。
为此，ASML于2018年正式收购了德国蔡司半导体事业部24.9%的股权。
对于下一代High-NA EUV产品，ASML此前已获得3家主要客户4台的订单，并销售了8台High-NA EUV产品。
NA EUV产品具有优先购买权。
在这些订单中，晶圆代工龙头台积电也是其中之一。
事实上，2017年台积电就宣布增加3亿美元资本支出，为下一代EUV设备提供预付款，即预购了新一代High-NA EUV设备。
对于新一代High-NA EUV设备，ASML预计今年将进入量产。
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