瑞萨电子芯片工厂又遭遇“火情”
06-06
TSV技术：解锁HBM无与伦比的“容量和速度”各大厂商纷纷推出高带宽存储器（High Bandwidth Memory，简称HBM），采用穿硅技术通孔（Through Silicon Via，TSV）技术用于芯片堆叠，以提高吞吐量并克服单个封装内的带宽限制。
在这一趋势下，SK海力士早在2016年就率先研发HBM，试图提高产能SK海力士现在充分利用了最新HBM2E的潜力，通过TSV垂直连接8个16Gb芯片，以实现16GB传输速率，该TSV由电路芯片和“中介层”之上的多层DRAM组成。
（即位于电路板和芯片之间的功能封装）简单来说，TSV可以比作公寓式的建筑结构，建筑基础（Interposer）之上是社区活动中心（逻辑芯片）。
，上面是分层公寓房间（DRAM）。
与传统方法不同，TSV 技术就像在芯片上钻孔，然后将它们堆叠在上面。
作为一种封装技术，它通过这些孔内的导电电极连接芯片，从而使数据可以垂直移动，就像安装了数据电梯一样。
与使用金线接合技术生产的传统芯片相比，该技术具有更短的连接，因此信号路径也更短，从而实现高速性能和更低的功耗。
此外，与传统方法相比，穿透芯片可以在芯片之间创建更多通道。
从HBM到HBM2E的演进 与依赖有线处理的DRAM封装技术相比，HBM在数据处理速度上表现出了高度的提升。
与金线缝合方式不同，通过TSV技术，HBM可以在相互垂直连接的DRAM芯片上钻出5个以上的孔。
在如此快速崛起的行业趋势下，SK海力士于今年8月开发出了具有超高速性能的HBM2E。
这是业界性能最高的技术。
与之前的HBM2标准相比，HBM2E将数据处理速度提高50%。
由于这种高度的改进，它将成为新一代 HBM DRAM 产品。
与传统采用模块封装存储芯片并连接在系统板上的结构不同，HBM芯片与图形处理器（GraphicsProcessingUnit，简称GPU）、逻辑芯片等处理器紧密相连。
在仅仅几微米的距离下，数据传输速度可以快得多。
这种新结构在芯片之间创建了更短的路径，进一步加快了数据处理速度。
随着数据不断增加，第四次工业革命对高性能内存的需求将持续增长。
HBM 已在 GPU 中使用。
HBM2E可能成为包括下一代GPU、高性能计算机处理、云计算、计算机网络和超级计算机在内的高性能设备中的高端存储半导体，以满足这些设备的超高速运行要求。
此外，HBM2E还将在一些高科技行业发挥重要作用，例如机器学习和AI系统。
此外，随着游戏行业图形应用的日益扩展，HBM技术的采用也相应增加，使其能够处理大屏幕上更多像素的需求。
凭借更高的计算机处理速度，HBM还为高端游戏提供了更好的稳定性。
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