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EUV光刻胶市场规模预计2025年突破2亿美元

发布于:2024-06-06 编辑:匿名 来源:网络

中国电子报电子材料咨询机构TECHCET最新研究报告(以下简称研究报告)显示,随着EUV在先进技术的加速引入高端芯片所需的制造工艺,金属氧化物、干沉积、多触发等EUV光刻胶的市场规模今年将超过2亿美元。

光刻胶是光刻工艺中的核心耗材,EUV光刻胶是增长最快的类别之一。

TECHCET此前报道,用于半导体的光刻胶收入规模预计将增长7.5%,达到每年23亿美元,每年超过25亿美元,年复合增长率为5.9%。

EUV光刻胶年市场规模仅约6000万美元,预计今年将达到2亿美元,同比复合增长率达50%,远高于平均水平光刻胶市场的增长率。

研究报告指出,金属氧化物、干沉积、多重触发等光刻胶材料在EUV技术平台上具有广阔的应用前景。

金属氧化物光刻胶具有高耐腐蚀性,无需在光刻胶顶部添加额外的层。

光致抗蚀剂的干沉积提供了消除液体显影和沉积的机会。

多触发光刻胶可以持续使用较低的曝光能量并在多次曝光下发挥作用。

目前,IC、存储器等半导体器件制造商正在引入EUV技术。

逻辑IC方面,随着先进工艺节点的不断引入,EUV技术得到大规模应用,EUV光刻胶市场规模快速增长。

EUV光刻胶市场规模预计2025年突破2亿美元

在内存方面,存储厂商已经开始将EUV技术引入DRAM生产中。

除了光刻胶之外,EUV还带来了扫描仪光学和3D图案技术的一系列变化。

g线、i线、KrF、ArF等相对成熟工艺中使用的光刻胶也有望保持增长。

随着 3D NAND 内存使用量和堆叠层数的不断增加,KrF 光刻胶不断增长。

ArF光刻胶也随着多重曝光技术的使用而不断发展。

“随着晶圆代工厂对先进工艺的资本支出越来越高,光刻材料在半导体制造中变得至关重要,是光刻工艺的重要组成部分。

因此,EUV等材料和工艺创新将加速发展。

” TECHCET 首席执行官 Lita Shon-Roy 说道。

研究报告显示,在EUV光刻胶等材料的推动下,光刻材料市场预计在未来3-4年内将以细线宽度(孔间四根线或平均线宽低于5至6 mil称为细线)扩大年。

器件制造实现5倍增长。

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EUV光刻胶市场规模预计2025年突破2亿美元

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