混合现实技术公司Nreal获中金资本B2轮融资
06-18
据拓普产业研究院测算，全球SiC衬底年产值将达1.8亿美元，而产值将达到1.8亿美元。
GaN衬底的成本仅为300万美元左右。
拓普产业研究院指出，与目前主流硅片（Si）相比，第三代半导体材料SiC和GaN除了耐压高之外，还具有耐高温、适合高频等优点。
手术。
不仅可以大幅减小芯片面积，还可以简化外围电路的设计，从而减小模块、系统外围元件和冷却系统的尺寸。
此外，除了轻量化车辆设计外，第三代半导体的低导通电阻和低开关损耗特性还可以显着降低车辆运行过程中的能量转换损耗，这对于提高电动汽车的续航能力具有显着的作用。
帮助。
因此，SiC和GaN功率元件的技术和市场发展与电动汽车的发展密不可分。
然而，SiC材料仍处于验证和引进阶段。
现阶段汽车领域仅用于赛车。
因此，全球目前采用SiC解决方案的汽车功率元件面积还不到千分之一。
另一方面，目前市场上的GaN功率元件是使用两种类型的晶圆制造的：GaN-on-SiC和GaN-on-Si。
GaN-on-SiC在散热性能方面最具优势，相当适合高温应用。
、高频运行环境，因此5G基站的应用能见度最高。
预计未来五年，在车厂验证和2018年5G商用化的推动下，SiC衬底将进入快速增长期。
虽然GaN衬底在面积增大的过程中成本依然居高不下， GaN衬底的产值仍小于SiC衬底。
不过，GaN在高频下工作的优势仍然是各大技术制造商关注的焦点。
除了采用GaN-on-SiC技术的高标准产品外，GaN-on-Si凭借其相对良好的成本优势，成为当前GaN功率元件市场的主流。
它用于汽车和智能手机所需的电源管理芯片和充电。
该系统的应用最具增长潜力。
拓普产业研究院指出，观察供应链发展情况，由于5G和汽车技术处于行业增长趋势的中心，供应链发展了晶圆代工模式，为客户提供SiC和GaN代工业务服务，改变了传统晶圆代工的模式。
过去的情况仅由Cree、Infineon、Qorvo等主要集成组件制造商提供。
GaN部分，台积电及全球领先企业提供GaN-on-Si代工业务，文茂则专注于GaN-on-SiC领域，瞄准5G基站商机。
此外，X-Fab、汉雷和环宇还提供SiC和GaN代工服务。
在晶圆代工业务的带动下，第三代半导体材料的市场规模也将进一步扩大。
据拓普产业研究院测算，全球SiC衬底年产值将达到1.8亿美元，而GaN衬底产值仅为300万美元左右。
拓普产业研究院指出，与目前主流硅片（Si）相比，第三代半导体材料SiC和GaN除了耐压高之外，还具有耐高温、适合高频等优点。
手术。
不仅可以大幅减小芯片面积，还可以简化外围电路的设计，从而减小模块、系统外围元件和冷却系统的尺寸。
此外，除了轻量化车辆设计外，第三代半导体的低导通电阻和低开关损耗特性还可以显着降低车辆运行过程中的能量转换损耗，这对于提高电动汽车的续航能力具有显着的作用。
帮助。
因此，SiC和GaN功率元件的技术和市场发展与电动汽车的发展密不可分。
然而，SiC材料仍处于验证和引进阶段。
现阶段汽车领域仅用于赛车。
因此，全球目前采用SiC解决方案的汽车功率元件面积还不到千分之一。
另一方面，目前市场上的GaN功率元件是使用两种类型的晶圆制造的：GaN-on-SiC和GaN-on-Si。
GaN-on-SiC在散热性能方面最具优势，相当适合高温应用。
、高频运行环境，因此5G基站的应用能见度最高。
预计未来五年，在车厂验证和2018年5G商用化的推动下，SiC衬底将进入快速增长期。
虽然GaN衬底在面积增大的过程中成本依然居高不下， GaN衬底的产值仍小于SiC衬底。
不过，GaN在高频下工作的优势仍然是各大技术制造商关注的焦点。
除了采用GaN-on-SiC技术的高标准产品外，GaN-on-Si凭借其相对良好的成本优势，成为当前GaN功率元件市场的主流。
它用于汽车和智能手机所需的电源管理芯片和充电。
该系统的应用最具增长潜力。
拓普产业研究院指出，观察供应链发展情况，由于5G和汽车技术处于行业增长趋势的中心，供应链发展了晶圆代工模式，为客户提供SiC和GaN代工业务服务，改变了传统晶圆代工的模式。
过去的情况仅由Cree、Infineon、Qorvo等主要集成组件制造商提供。
GaN部分，台积电及全球领先企业提供GaN-on-Si代工业务，文茂则专注于GaN-on-SiC领域，瞄准5G基站商机。
此外，X-Fab、汉雷和环宇还提供SiC和GaN代工服务。
在晶圆代工业务的带动下，第三代半导体材料的市场规模也将进一步扩大。
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