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06-18
汉天下电子6月25日，国家第三代半导体技术创新中心发展战略研讨会暨第一届专家委员会会议举行了。
中国科学院院士、国家第三代半导体技术创新中心主任郝跃，中国科学院院士蒋凤仪，中国工程院院士欧阳晓（在线），杨德仁，中国科学院院士（在线），江苏省科技厅二级巡视员荆茂，苏州工业园区党工委委员、管委会副主任倪干，其他人出席了会议。
会议由中国科学院苏州纳米技术研究所副所长、江苏第三代半导体研究所所长徐克主持。
今年1月，国家第三代半导体技术创新中心研发及产业化基地在苏州纳米城开工建设。
项目一期占地1000亩，总建筑面积超20万平方米，其中汉天下电子研发中心总建筑面积约17000平方米。
平方米，规划建设8英寸体声波滤波器及射频模块生产工厂，主要包括高频滤波器研发生产线、射频模块封装线、产品性能检测实验室等，规划作为苏州汉天下未来器件技术研发和制造中心。
本次会议聚焦“十四五”期间国家第三代半导体产业发展趋势，探讨支撑产业发展的国家第三代半导体技术创新中心建设路径。
面向第三代半导体领域国家重大战略需求和产业发展需求，针对通信行业应用需求，以射频芯片发展为重点，苏州汉天下电子有限公司重点研究以及高性能体声波滤波器的开发和应用开发，解决设计问题。
针对器件、工艺等关键共性技术问题，我们与江苏第三代半导体研究院有限公司强强联手，共建“宽带通信滤波器芯片技术联合研发中心”。
通过产业集群的协同优势，充分发挥企业技术优势，形成优势互补和壮大，共同培育和承接各类重大项目，推动高性能过滤器产业化。
近期会议将于7月5日举行，由ACT雅士国际商报主办。
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