Soitec发布2020财年第四季度财报，同比增长45%
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功能丰富的半导体平台为下一代计算应用提供具有竞争力的性能和可扩展性加利福尼亚州圣克拉拉，2019 年 9 月 25 日 - 格芯今天在其年度全球技术大会上大会（GTC）上，其宣布计划将全套新技术引入其14/12nm FinFET产品中，这是公司加强差异化投资的新重点之一。
新的工艺技术旨在为超大规模数据中心和自动驾驶汽车等快速增长的市场中的应用提供更好的可扩展性和性能。
在当今的数据密集型世界中，对高性能芯片来处理和分析互连设备生成的信息流的需求不断增加。
格芯的 FinFET 产品是高性能、高能效片上系统 (SoC) 设计的理想平台，适用于最苛刻的计算应用。
新平台将通过针对超高性能和增强的射频连接进行优化的晶体管改进，以及针对新兴企业和云安全需求的新型高速、高密度存储器，来改善功耗、性能和可扩展性。
格芯业务部高级副总裁Bami Bastani博士表示：“我们致力于加强差异化产品的开发，帮助客户从每一代技术投资中获得更多价值。
通过在FinFET产品中引入这些新功能，我们将提供强大的技术改进，使客户能够扩展性能并为下一代智能系统创建创新产品“格芯的 14/12nm FinFET 平台提供先进的性能和低功耗，并具有显着的成本优势。
平台新增的丰富增强功能包括： · 超高密度：持续改进的12LP设计库（7.5T），结合SRAM和先进的模拟技术，在更小的芯片面积内提供更高的晶体管密度，以支持客户的核心计算、连接和存储应用，以及移动和消费电子设备。
· 性能改进：通过将 SRAM Vmin 降低 mV 并将待机漏电流降低约 50% 来提高性能，从而提高机器学习和人工智能等现有和新兴应用的性能。
射频/模拟：提供全套无源元件、超厚金属和 LDMOS 选项，为具有更高数字内容的 6GHz 以下射频 SoC 实现先进的射频性能（Ft/Fmax 高达 GHz）。
· 嵌入式内存：超高安全性、一次性可编程 (OTP) 和多次可编程 (MTP) 嵌入式非易失性 (eNVM) 内存，适用于新兴企业、云和通信应用。
使用物理上不可检测的电荷捕获技术 (CTT) 的安全解决方案包括“物理上不可克隆的设备”功能和高效的非易失性存储器，以实现更高的 SoC 集成度。
GF 的 CTT 解决方案不需要额外的处理或屏蔽步骤，并且与基于电介质熔丝技术的类似 OTP 解决方案相比，密度提高了一倍。
与28nm技术相比，格芯的14LPP技术可使器件性能提升55%，总功耗降低60%；而与目前市场上的16/14nm FinFET解决方案相比，格芯的12LP技术可以降低电路密度。
提高了15%，性能提升了10%以上。
GF Frontier的FinFET平台已于今年年初开始量产，并且符合汽车2级标准。
关于 GLOBALFOUNDRIES GLOBALFOUNDRIES 是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为全球最具启发性的科技公司提供独特的设计、开发和制造服务。
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