全球PE求变
06-17
亚太地区知名专家学者齐??聚APCSCRM。
近年来，碳化硅等宽禁带半导体已成为全球高科技领域竞争战略的制高点之一。
1、国际半导体及材料领域研发热点。
宽禁带半导体照明已形成巨大规模产业，并在电子功率器件领域不断发展。
全球有两大品牌国际会议：ICSCRM（国际碳化硅及相关材料会议）和ECSCRM（欧洲碳化硅及相关材料会议）。
从地域上看，主要体现在美国和欧洲的科技发展趋势上。
为促进亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业和学术的发展，加强交流与协同创新，首届亚太碳化硅大会由中关村天合光能发起并主办，带隙半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所、北京硅酸盐学会。
亚太碳化硅及相关材料会议（APCSCRM）将于2020年7月9日至12日在北京召开，参会人数众多。
本次会议将在宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物理性能、光电子与电子器件研发、相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研领域的相互合作与交流。
研究。
我们相信，本次会议将为亚太地区碳化硅等宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展发挥强有力的推动作用。
APCSCRM将是亚太地区的一个高层论坛，重点关注碳化硅及其他宽带隙半导体相关材料和器件的行业和学术方面。
从今年开始，每年召开一次会议，地点在亚太地区不同地点轮流举行。
APCSCRM会议邀请亚太地区知名专家学者齐??聚一堂，学习和交流宽禁带半导体材料生长、器件制备与封装、器件模块应用等领域的理论与技术。
以下为部分特邀专家简介： 1. Manabu Arai（新日本无线，日本） 报告名称：宽带隙半导体（碳化硅、氮化镓、氧化镓和金刚石）器件综述 2. 高兵（武汉）报告名称：碳化硅PVT生长中基面位错的模拟与控制 3.顾一雷（阳光电源股份有限公司，中国）报告名称：基于高效率高功率密度的光伏逆变器on SiC MOSFET 4. Earthwork Master（日本埼玉大学） 报告名称：基于 Si 和 C 发射模型的 SiC 热氧化过程的宏观模拟 5. 黄伟（中国复旦大学） 报告名称：Fusionable GaN/Si半导体器件与集成技术 6. Noriyuki Iwamuro（日本筑波大学）报告名称：碳化硅 MOSFET 器件的最新进展 7. Ji Shiyang（日本先进产业技术研究所）报告名称：CVD 外延——新 4H 的关键技术-SiC超结MOSFET 8. 李顺峰（北京）大学东莞光电研究所）报告名称：硅基GaN电力电子器件的发展、应用及展望 9. 刘国友（株洲中车时代电气有限公司）中国，中国） 报告名称：碳化硅器件在轨道交通中的应用前景 10. 陆国权（美国弗吉尼亚理工大学） 报告名称：汽车用高功率密度碳化硅功率模块封装 11. 松浦秀治（大阪电气通信大学，美国）日本）报告名称：Measurement of Wide Bandgap Semiconductors using the Hall Effect Electrical Characteristics 12.水原德健（罗姆半导体（上海）有限公司，日本）报告名称：功率器件（SiC）的市场应用~特性与碳化硅功率器件的应用 13. 邱先勤（台湾长庚大学） 报告名称：六族氮化镓在硅功率和微波器件封装及模块开发上的应用 14. 邱玉峰（中国全球能源互联网研究院） 报告名称：六族氮化镓在硅功率和微波器件封装及模块开发中的应用未来电网中的SiC器件 15.孙国胜（中国科学院半导体研究所东莞天宇半导体科技有限公司） 报告名称：4H-SiC三角缺陷结构及成因研究进展 16.温旭辉（中国科学院电工研究所）报告名称：电动汽车超高功率密度碳化硅逆变电源技术途径分析 17．张青春（美国北卡罗莱纳州立大学） 报告名称：宽禁带半导体器件（氮化镓、碳化硅）及其应用的现状与展望 本次会议同时向国内外高校、科研院所、企事业单位开放宽带隙半导体材料、器件和应用领域的专业人士和技术人员的论文。
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