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北方华创12英寸氮化硅LPCVD实现突破

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

中国电力电子产业网北方华创THEORIS SND 12英寸氮化硅沉积设备入驻中国领先集成电路制造企业。

该设备的交付意味着国产立式LPCVD设备在先进集成电路制造领域的应用拓展取得重大进展。

氮化硅（Si3N4）薄膜是一种广泛使用的介电材料。

作为非晶绝缘材料，氮化硅薄膜的介电性能优于二氧化硅薄膜。

具有活动离子阻挡能力强、结构致密、针孔密度小、化学稳定性好、介电常数高等优点。

常用于集成电路制造中的介质绝缘、杂质掩蔽、浅沟道隔离、掩模、外层钝化保护等工艺。

氮化硅薄膜作为性能优异的重要介质材料，在集成电路制造领域广泛采用LPCVD类设备制备，颗粒控制水平是设备能力的重要指标。

在氮化硅工艺设备THEORIS SND的研发过程中，北方华创通过整合现有产品平台技术，开发出快速升降温加热技术和炉口气流优化技术，有效解决了氮化硅工艺难题。

不稳定介质颗粒控制技术问题。

在满足常规产能的基础上，为了提升客户的附加值，进一步开发了长恒温区反应室的设计，实现大容量的硬件技术解决方案，以匹配市场的多样化需求。

经过十多年的创新发展，华北创新炉窑从无到有，从装备研发到产业化。

目前，他们已形成四大炉：氧化（Oxide）、退火（Anneal）、化学气相沉积（LPCVD）、合金（Alloy）。

系列工艺设备，设备性能达到国际同类产品先进水平。

北方华创在不断拓展产品应用领域的同时，也将致力于帮助客户提高工艺性能、提高产能、降低成本，为客户在半导体集成电路领域带来无限可能。

延伸报道：在CASA举办的一系列在线研讨会上，北方华创刻蚀第一事业部张一鸣博士做了题为《面向化合物半导体芯片的刻蚀装备》的报告，重点介绍了北方华创在化合物半导体芯片行业的刻蚀特色。

设备和工艺解决方案。

通过独特的腔室设计和工艺开发，北方华创GDE C刻蚀机展现了优异的SiC背孔/SiC沟槽刻蚀量产性能，具有刻蚀速率快、MTBC长、Pillar缺陷少、Wafer表面良好等一系列优势。

由于温度低、均匀性好、选择性高、工艺窗口宽，非常适合GaN-on-SiC射频、SiC功率等器件的量产。

另一款产品GSE C刻蚀机，已服务于多家知名Foundry/IDM工厂。

北方华创12英寸氮化硅LPCVD实现突破

具有超强的工艺兼容性，适用于GaN/SiNx低损伤刻蚀、GaAs背孔/台面刻蚀、InP波导/光栅刻蚀等刻蚀工艺，为客户在GaN功率生产中展现了非常稳定的量产能力、GaAs RF/VCSEL、InP、FBAR/SAW/BAW 滤波器等器件。

此外，北方华创的深硅刻蚀工艺也得到了海外市场的认可。

HSE系列等离子刻蚀机具有高等离子体密度，可实现高速、高深宽比、高均匀性刻蚀。

目前，该设备已全面服务于深硅刻蚀量产工艺。

随着万物互联、AIoT、大数据、云计算、汽车电子、VR/AR等领域的快速发展，化合物半导体芯片相关产业将迎来大幅增长。

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