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06-21
半导体产业是现代工业的核心和基础。
我国电子信息产品制造业历来规模较大，但基础薄弱。
“缺芯、少芯”的现象比较突出，半导体材料和核心器件长期受到人类的制约。
为破解这一高质量发展瓶颈，近日，由东莞多家行业企业、新型研发机构和国内行业领军企业共同组建的广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”，于松山湖正式成立。
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这也是广东省首个第三代半导体制造创新中心。
多家企业单位联合成立广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”，由易易集团有限公司牵头，联合东莞天宇半导体科技有限公司和东莞中高半导体科技有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究院、华南理工大学、北京大学（东莞）光电研究院、和广东省半导体产业技术研究院。
创新中心成立后，将依托国家第三代半导体南方基地建设单位东莞南方半导体科技有限公司。
据了解，该平台由广东省科学技术厅、东莞市政府以及易达科技、国镓半导体、天宇半导体、松山湖控股集团等六家业内知名企业共同出资推出、广东风华高科有限公司成立。
据中国半导体行业协会统计，2016年中国功率半导体市场规模达1亿元，占全球的55%。
但长期以来，由于创新链各环节衔接不畅、创新主体分散，行业形成了“技术孤岛”、“资源分散”、“上下游脱节”的局面，创新能力不足。
原始创新能力强，严重依赖国际技术路径和产品。
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从全球范围来看，提高开关频率、降低开关损耗、提高功率密度、减小体积和重量已成为现代电子技术的发展方向。
宽禁带半导体器件将在高频功率转换领域掀起新一轮工业技术革命。
目前，以氮化镓、碳化硅为代表的宽带隙半导体材料的出现，加剧了半导体领域新技术的竞争。
欧洲、美国、日本等国家正在全力抢占材料、器件和应用技术的战略制高点，以掌握新一代宽禁带半导体材料。
禁带（又称宽带隙）半导体领域的话语权。
应用牵引引领产业集聚发展。
随着我国宽带隙半导体产业布局逐步成型，国务院于2019年7月发布《“十三五”国家科技创新规划》，明确将发展宽带隙半导体产业和技术作为国家重大战略任务，并“ “十三五”发展重点对落实“中国制造”、海洋强国、航天强国、军民融合发展、“一带一路”建设等国家战略具有重要作用，也将为推动产业迈向中高端、增添新的发展领域发挥核心引领作用，拓展新的发展空间，提高发展质量和效益。
牵头成立该中心的易易集团董事长何思默透露，创新中心将突破传统企业和研究机构相对独立的框架，将创新链、产业链、资金链有机融合，创新政产学研联动机制和系统理论与技术创新、产业集群发展，打造电力电子技术高地，培养研发和产业技术人才，传播新技术，将创新中心建设成为电力电子技术创新中心。
广东省高水平宽禁带半导体器件应用技术创新研发平台，进而发展成为国际一流的电力电子技术研发中心。
创新中心还将以应用为驱动，以产业化需求为导向，抓住产业技术核心环节，带动产业上下游产业（晶圆、外延生长、芯片设计与加工、器件与模块封装、测试）与验证、高效电能管理系统集成）、人才、资本等要素集聚，吸纳孵化一批产业链上下游高新技术企业，同时协同发展壮大，引领广东省发展宽禁带半导体产业集群，力争形成万亿级产业规模。
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