面条大王，退休做米
06-17
新华网研究人员最近在学术期刊《科学》发表了一项新研究，表明一种名为立方砷化硼的材料具有更好的性能，实验室已经证明了更好的性能具有比硅更高的热导率和双极迁移率，有潜力成为比硅更好的半导体材料。
硅是目前应用最广泛的半导体材料。
然而，硅作为半导体有两个缺点。
首先，硅的导热性能不太好，导致芯片温度总是过热。
散热问题已成为制约芯片性能的重要因素。
其次，硅具有良好的电子迁移率，但空穴迁移率不够好，这对于半导体性能也很重要。
带负电的电子离开材料后，留下的带正电的空位称为空穴。
电子迁移率和空穴迁移率统称为双极迁移率。
科学家认为，立方砷化硼理论上既具有比硅更好的导热性，又具有更高的双极迁移率。
早期实验已证实该材料的导热率约为硅的10倍。
麻省理工学院等美国大学的研究人员最近在《科学》杂志上发表研究，进一步证实立方砷化硼在实验中表现出更好的导热性和双极迁移率。
研究人员表示，这可能是迄今为止发现的最好的半导体材料。
同时，杂志《科学》还发表了中国科学院和美国休斯顿大学团队的相关研究成果。
该研究使用不同的测量方法证实了立方砷化硼的高双极性迁移率，甚至发现材料样品中某些位置的双极性迁移率高于理论计算值。
参与研究的中科院国家纳米科学中心副研究员岳帅表示，双极迁移率“决定了半导体材料的逻辑运算速度。
迁移率越高，运算速度越快。
” ”研究人员表示，到目前为止，立方砷化硼仅在实验室规模上制备和测试。
下一步的研究将集中在如何经济、大批量地生产这种材料，从而真正推动半导体产业的发展。
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