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06-21
英飞凌科技股份公司与松下签署协议，共同开发和生产第二代（Gen2）成熟的氮化镓（GaN）技术，提供更高的效率和功率密度水平。
卓越的性能和可靠性与 8 英寸硅基氮化镓晶圆生产能力的结合，标志着英飞凌针对不断增长的 GaN 功率半导体需求的战略扩张。
根据市场需求，Gen2将开发为VGaNHEMT。
这些器件将易于使用并提供更高的性价比，主要针对高功率和低功率 SMPS 应用、可再生能源、电机驱动应用等。
对于许多设计而言，氮化镓 (GaN) 提供了优于硅的根本优势。
与硅MOSFET相比，GaN HEMT具有优异的比动态导通电阻和更小的电容，使其更适合高速开关。
由此带来的节能和整体系统成本的降低、在更高频率下运行的能力、更高的功率密度和整体系统效率使 GaN 对于设计工程师来说成为非常有吸引力的选择。
英飞凌电源和传感器系统部总裁 Andreas Urschitz 表示：“除了与第一代产品相同的高可靠性标准外，下一代客户还将受益于更轻松的晶体管控制以及显着改善的成本定位。
转向8英寸晶圆制造。
益处。
与双方联合开发的第一代器件（即英飞凌的 CoolGaN? 和松下的高度嵌入式栅极注入晶体管（HD-GIT）结构无与伦比的鲁棒性）一样，这些器件成为首选产品，也是最长久的产品之一。
松下工业解决方案公司工程副总监 Tetsuzo Uedai 表示：“我们很高兴扩大与英飞凌在氮化镓组件领域的合作伙伴关系。
通过这种联合方式，我们将能够提供基于最新创新开发的高质量第一代组件和第二代器件。
”新的 VGaNGen2 器件计划于今年上半年上市。
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