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06-18
毫无疑问，碳基半导体的概念确实很新，话题也太前沿了。
这个概念就像网红一样，迅速受到业界频频追捧，甚至掀起投资热潮，但碳基半导体材料到底是什么？这是与当前的硅基半导体相比。
一般认为，碳基半导体是在碳基纳米材料的基础上发展起来的，如碳纳米管、碳纳米纤维、纳米碳球、石墨烯等主体。
主要采用碳纳米管、富勒烯、石墨烯等特殊碳结构来实现电子管的功能。
其优势在于高频器件。
其中，碳纳米管是用于制备碳基半导体的材料。
它们是2001年由日本研究人员首先在碳纤维中发现的，也是彭教授和张教授的研究对象。
这被认为是一个突破，并已为公众所知。
不过，这并不是中国碳基半导体技术第一次在科学上发表。
彭教??授本人也一直在攻克碳纳米管基掺杂技术（旨在控制载流子浓度），早在2010年，彭连草院士就认为2019年很可能是实现后硅时代的关键节点年。
然而，我们理解的碳基半导体不仅仅涵盖碳纳米管、石墨烯等纳米材料。
号称终极半导体的钻石难道不应该占有一席之地吗？更广义地说，碳基半导体材料应该都称为碳基半导体，比如碳基二维半导体材料。
甚至有业内人士认为，碳化硅也属于碳基半导体的行列。
小编询问了一些行业专家，他们也表示同意。
此外，李树堂院士也在10年前的一次会议上提出了碳基半导体的概念。
接下来小编就简单总结一下碳基半导体发展史上的突破性进展！一、碳纳米管碳纳米管是未来最有希望替代硅基材料的理想碳基半导体材料。
IBM研究表明，在10nm技术节点之后，碳纳米管芯片相比硅芯片在性能和功耗方面将会有显着的提升。
从硅基7nm到5nm技术，芯片速度将提高约20%。
与基于硅的7nm技术相比，基于碳纳米管的7nm技术将使芯片速度提高20%。
北京大学彭联茂团队的研究成果表明，在14nm技术节点，碳纳米管晶体管的速度和功耗比硅基器件有10倍以上优势，并且进入10nm后这种优势还将继续增强技术节点。
此外，半导体碳纳米管材料是直接带隙半导体，所有能带之间的跃迁不需要声子辅助，使其成为良好的红外发光材料。
理论分析表明，基于碳纳米结构的电子器件可以具有非常好的高频响应，其工作频率有望超过太赫兹，其性能优于所有已知的半导体材料。
自2008年第一个碳纳米管晶体管问世以来，研究人员就开始探索碳纳米管半导体器件应用的可能性。
最初，国外研究团队IBM和Intel采用主流半导体CMOS技术——掺杂工艺来制备高性能碳纳米管晶体管。
然而，所制备的碳纳米管晶体管的性能远低于硅基晶体管。
2016年，英特尔对所有纳米晶体管进行了定量比较。
结果表明，虽然碳纳米管基器件的p型晶体管的性能远优于相应的硅基器件，但其n型晶体管的性能却远不如相同尺寸的器件。
硅基器件。
集成电路的发展需要p型和n型晶体管的性能匹配。
n型碳纳米管晶体管性能的滞后严重制约了碳纳米管电子学的发展。
开发稳定、高性能的n型碳纳米管器件已成为未来几年碳纳米管集成电路研究领域最重要的课题之一。
经过多年努力，中国科研人员在该领域取得了突破性进展。
2017年，北京大学彭连茂团队发现金属钪（Sc）和钇（Y）可以与碳纳米管导带形成理想的欧姆接触，从而制备高性能弹道晶体管。
n型碳纳米管场效应晶体管，器件性能接近理论极限。
2017年，彭连曹团队突破了n型碳纳米管制备的百年难题，创造性地开发了一套高性能碳纳米管无晶体管制备方法，并制备出了栅长为5 nm的晶体管，用于2018年首次，并且还证明了碳纳米晶体管在达到理论极限时可以克服短沟道效应，即可以用简单的平面工艺达到物理极限，而不需要开发更复杂的三维晶体管技术可以像硅技术一样减少短沟道效应。
道效应。
2016年，团队再次突破传统理论极限，开发出超低功耗狄拉克源晶体管新原理；同年，团队利用高性能晶体管制备出最高速度5×MHz的集成电路，不仅成为斯坦福大学、麻省理工学院等研究机构同时跻身国际领先地位的研究机构之一最关键的核心技术。
2017年，清华大学化学工程系魏飞教授团队实现了长度达到mm时一步制备99.%超长半导体管阵列的方法，为解决水平阵列制备这一世界性难题提供了解决方案结构完美的高纯度半导体管。
开发了一条新的技术路线，对于新一代碳基电子材料的可控制备具有重要价值。
2017年，彭连曹和张志勇团队突破了半导体碳纳米管关键材料瓶颈，制备的器件和电路首次在真实电子性能上超越硅基产品，这意味着碳基集成电路已初步实现工业化。
根据。
美国碳纳米管研究最具代表性的是麻省理工学院。
2016年，麻省理工学院Max Schulak团队开发出世界上第一款碳纳米管通用计算芯片RV16X-NANO。
该微处理器芯片基于 RISC-V 指令集，在 16 位数据和地址上运行标准 32 位指令。
它拥有超过14,000个晶体管，采用行业标准工艺和流程设计和制造。
它可以执行指令取指、解码、寄存器、执行单元、写回内存等功能。
今年6月，Schulak团队在《自然·电子学》杂志上发表了题为《在商用硅制造设施中制造碳纳米管场效应晶体管》的论文，证实碳纳米管场效应晶体管已经接近商业化应用。
在这项研究中，Schulak团队开发了“干循环”和“人工浓缩”两种方法来优化制造工艺，使碳纳米管晶体管的制造速率提高了一倍，同时降低了生产成本。
利用这项技术创新，研究人员可以在毫米晶圆上快速制备大量碳纳米管场效应晶体管。
此外，研究人员还证实，碳纳米晶体管还可以在室温下堆叠和制造，以制造多层芯片；传统的硅晶体管需要在℃的高温下制造，并且无法堆叠。
本文涉及的制造工作是在商业硅基生产线上进行的，表明碳纳米管集成电路具有更大的量产可能性。
二.石墨烯 在集成电路领域，目前最成熟的是二维硅基集成电路。
然而，近年来，随着集成电路集成度的不断提高，芯片上的器件单元数量急剧增加，芯片面积不断增大。
单元之间连接的增长不仅影响电路的工作速度，而且占用大量面积，严重影响集成电路集成度和工作速度的进一步提高，以及简单的二维还原集成电路面积已达到摩尔极限。
因此，研究人员开始关注集成电路的垂直三维发展。
然而，三维集成电路存在散热、电路串扰和制造工艺等问题。
石墨烯具有高电子迁移率和良好的导热性，这使其能够实现高信号传输速度并在较低温度和高频下工作。
因此，石墨烯成为一种非常理想的集成电路材料。
石墨烯纳米带的二维晶格结构具有高导电性、高导热性和低噪声。
这些特性可以使其取代铜等金属线连接作为连接材料。
2017年，加州大学圣塔芭芭拉分校的研究人员利用石墨烯优异的导热性和电学特性，提出了一种新型三维集成电路，采用多层石墨烯纳米束填充硅晶体孔。
通过研究发现，多层石墨烯纳米束的传热和功率分布性能优于铜和碳纳米管。
此外，石墨烯的高电子迁移率和导热性使其散热性能非常好，可以很好地解决当前随着集成电路器件集成度不断提高，芯片运行时产生的热量不易散发的问题。
2017年，中国华南师范大学物理与通信工程学院的研究人员在三维芯片中添加了石墨烯层，以解决散热问题。
测试结果表明，添加石墨烯导热层后，峰值温度得到了改善。
石墨烯层可以提供良好的散热通道，将热量快速散发。
同年，美国高斯公司申请了制备具有石墨烯屏蔽效应的三维集成电路的专利。
石墨烯层作为三维集成电路的相邻层或相邻层之间的电磁干扰屏蔽，可以减少层之间的串扰，同时将热量传递到周围环境。
2017年，中国科学院上海微系统与信息技术研究所谢晓明团队首次在较低温度条件下采用化学气相沉积外延技术成功制备出6英寸无皱高质量石墨烯单晶晶片，成功生长外延石墨烯单晶。
生长温度成功从℃降至℃。
石墨烯单晶晶圆的批量制备是石墨烯在电子领域大规模应用的前提。
低温外延制备晶圆级石墨烯单晶对于推动石墨烯在电子领域的应用具有重要意义。
2018年，团队实现了8英寸石墨烯单晶晶圆、4英寸锗基石墨烯晶圆、大面积六方氮化硼介质薄膜的中试。
还与国内外多家单位合作，实现石墨烯在微电子、能源、生物医药等领域的应用。
2017年，北京大学刘忠范院士与彭海林教授联合团队遵循外延衬底制备——石墨烯外延生长的研究思路。
他们首先制备了4英寸CuNi铜镍合金单晶薄膜，并以其作为生长衬底，实现了4英寸石墨烯单晶晶片的超快制备。
同时，团队研发了石墨烯单晶硅片批量制备设备，实现了单批次25片4英寸石墨烯单晶硅片的制备。
该设备年产能可达10000台，为全球首创。
石墨烯单晶晶片的可规模化制备。
在半导体晶体管领域，与硅晶体管相比，石墨烯晶体管的优势在于其晶体管晶格高度稳定，即使在单个碳原子厚度下也能稳定工作，而硅材料晶体管在10nm以下就失去稳定性。
薄且高度稳定的石墨烯晶体管不仅有助于电子元件的小型化，而且还允许它们在极端温度条件下工作。
此外，石墨烯的载流子移动速度极快，对外部场的响应也非常快，因此石墨烯晶体管可以在非常高的频率下稳定工作。
美国IBM的研究人员对石墨烯晶体管进行了模拟实验。
实验结果表明，当石墨烯晶体管的栅极尺寸为nm时，频率可高达26GHz，而当该尺寸缩小到50nm时，其频率将超过1THz，远高于现有的硅基晶体管。
2016年，IBM制备了新一代石墨烯晶体管，超高截止频率为GHz，栅极脉冲宽度为40nm。
目前的研究结果表明，石墨烯晶体管的频率性能已经超过了相同栅极长度的最先进硅晶体管的截止频率（40GHz）。
但在晶体管制备方面，石墨烯晶体管的性能仍不如碳纳米管晶体管。
未来，石墨烯有望在三维集成电路、优化散热和更小尺寸芯片方面发挥重要作用。
三．金刚石金刚石一直被业界誉为终极半导体材料，被认为是制备下一代高功率、高频、高温和低功耗电子器件最有前途的材料。
但金刚石材料如何实际使用呢？其商业化的最大问题是金刚石的高效批量掺杂尚未解决。
制作P型晶体管很容易，但N型掺杂是第一个障碍，第二个障碍是双面掺杂。
像这样通过掺杂形成PN结，构建集成电路还有很长的路要走！早在2016年，阿贡国家实验室就已经开展了金刚石化学气相沉积（CVD）实验，并成立了先进金刚石技术公司。
该公司与 Innovative Microtechnology 合作制造金刚石微机电系统，并推广 SP3 Diamond Technology 等金刚石晶圆专家生产用于沉积金刚石晶体的 CVD 设备。
尽管迄今为止金刚石最大的应用是在珠宝、磨料和人造钻石领域，但阿贡国家实验室仍在努力寻找将金刚石（天然绝缘体）变成半导体和导体的方法，以便为所有金刚石提供芯片铺平了道路。
美国初创公司Akhan Semiconductor的金刚石半导体工艺已获得美国能源部阿贡国家实验室授权。
结合自身在金刚石领域的技术突破，计划成为第一家真正实现金刚石半导体商业化的公司。
2006年，英国元素六公司生长出5毫米×5毫米的大尺寸电子级单晶。
总杂质含量可控制在5 ppb（ppb为十亿分之一），位错密度在~1/cm2之间，为世界最高。
主要提供金刚石晶体管、金刚石量子通信技术和金刚石高能粒子探测器研发所需的高质量单晶。
多晶方面，已实现电子级4英寸多晶金刚石的商业化生产。
2017年，美国卡内基研究所宣布在制造克拉级无色CVD钻石方面取得重要进展，制造出加工后重2.3克拉、生长速度为50微米/小时的无色单晶钻石。
而且，已经可以在六个表面上同时生长方形金刚石，从而使生长大型单晶金刚石成为可能。
日本AIST利用MPCVD制备了尺寸最大为12mm的单晶金刚石和25mm镶嵌晶片。
2007年，AIST继续扩大晶体尺寸，获得了38.1mm（1.5）的金刚石片。
2017年，产业技术研究所借助同质外延技术和镶嵌生长技术，成功获得了50.8mm(2)的单晶金刚石，但其杂质和位错密度较高。
2016年，德国奥格斯堡大学通过异质外延技术实现了直径92毫米、克拉的大尺寸单晶金刚石材料，为大尺寸单晶金刚石的开发提供了新的技术途径。
但由于采用异质外延技术，导致位错密度较高。
2017年，西安交通大学王红星教授团队实现了英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化。
他们采用等晶和镶嵌拼接融合的方法，形成了一套大面积单晶金刚石生长的工艺规范，可以生产1（25.4х25.4mm）或以上的单晶金刚石基板和薄膜产品。
获得利用克隆技术大规模生产大面积单晶金刚石的整体技术。
2020年1月11日，哈尔滨工业大学韩杰才院士团队与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作，在金刚石单晶领域取得重大科研突破。
该研究成果以“微纳米金刚石单晶的超大型均匀拉伸弹性”为题在线发表在国际著名学术期刊《科学》上。
该研究首次采用纳米力学新方法，通过超大且均匀的弹性应变调节，从根本上改变金刚石的能带结构。
它为实现下一代金刚石基微电子芯片提供了全新的方法，为弹性应变工程和单晶金刚石器件的应用提供了基础性、颠覆性的解决方案。
但从理论上讲，金刚石在力学、化学和导电性方面具有极高的价值。
由金刚石制成的芯片也比硅芯片更坚固、更耐用，即使在高温下也能保持其半导体能力。
然而，在迄今为止的几乎所有实验中，金刚石晶体始终保持其独立性，无法有效影响电流。
因此，目前在电子行业中几乎不可能找到应用。
为了突破金刚石半导体技术瓶颈，金刚石材料制备技术的改进是金刚石电子器件性能提升的驱动力。
如果能够解决大尺寸、高质量单晶的制备以及高平整度、高均匀性材料外延技术等瓶颈，更高功率性能的金刚石电子器件将指日可待！ 。
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我国碳基半导体研究新途径有望打破硅基技术数十年的追随。
以美国为首的高科技封锁正在悄然开启。
但技术发展和产业提升并非一蹴而就。
碳基半导体和硅基半导体材料从性能、成本等不同角度各有优势。
即使未来碳基半导体能够打破硅基半导体的完全垄断，碳基和硅基半导体仍将保持长期共存、互补发展。
地位。
碳基半导体产业发展注定是一项长期而艰巨的任务。
尽管碳基半导体材料在材料制备技术和性能方面取得了长足进步，但其工业应用方向却十分模糊。
半导体产业链中有很多环节。
除了材料准备外，还需要设计、制造、包装等诸多工具和环节的配合，形成生态链。
这就需要产业界和学术界共同努力，探索碳基半导体材料未来的实际产业需求和重点应用方向，推动我国半导体技术和产业快速发展。
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