5G将为媒体和娱乐行业带来1.3万亿美元的新收入
06-06
Arm的互连技术结合格芯的12LP工艺带来高性能和低延迟性能，拓宽了人工智能（AI）和云计算和移动SoC高核心设计带宽。
2020年8月7日——作为一家先进的专业代工厂，GlobalFoundries今天宣布其基于Arm?的3D高密度测试芯片已经流片生产，可增强人工智能/机器学习（AI/ML）和高端芯片的性能。
消费电子、移动和计算应用（例如无线解决方案）的系统性能和能源效率。
新芯片采用 GLOBALFOUNDRIES 的 12nm 领先性能 (1??2LP) FinFET 工艺制造，并采用 Arm 3D 网状互连技术。
核心之间的数据路径更加直接，可以减少延迟，提高数据传输速率，满足数据中心、边缘计算和高端应用的需求。
消费电子应用。
该芯片的交付展示了 Arm 和 GF 在研发差异化解决方案方面取得的快速进展，这些解决方案可提高设备密度和性能，从而实现可扩展的高性能计算。
此外，两家公司还验证了一种使用GLOBALFOUNDRIES晶圆间混合键合的3D测试设计（DFT）方法，每平方毫米可连接多达10,000个3D连接，扩展了12nm设计的未来应用。
Arm 研究部副总裁 Eric Hennenhoefer 表示：“Arm 的 3D 互连技术使半导体行业能够增强摩尔定律，以应对更多样化的计算应用。
格芯在制造方面的专业知识和先进的封装能力，与 Arm 的技术相结合，为我们共同的合作伙伴提供了更多差异化功能，推动下一代高性能计算新模式。
”GF平台首席技术专家John Pellerin表示：“在大数据和认知计算时代，先进封装的作用远不止于此。
人工智能的使用以及对高吞吐量、高能效互连的需求正在通过先进封装技术推动加速器增长，我们很高兴与 Arm 等创新合作伙伴合作，提供先进的封装解决方案，进一步扩大小型封装的覆盖范围。
在芯片上集成多个节点技术可优化逻辑扩展、内存带宽和射频性能。
此次合作将使我们能够发现先进封装的新视角，并帮助我们共同的客户高效地创建完整且差异化的解决方案。
”GF 转变了其业务模式。
帮助客户开发专注于市场和应用的新解决方案，以满足当今的严格需求。
格芯的 3D 面对面 (F2F) 封装解决方案不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑/存储器集成的途径，而且还优化了生产节点制造，从而实现更低的延迟、更高的带宽和更小的特征尺寸。
格芯的这一策略，以及Arm等合作伙伴的早期参与，为客户提供了更多选择和灵活性，同时也帮助客户降低成本，促进客户下一代产品更快量产。
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