据中科中亿半导体科技有限公司官方微信公众号消息,近日,苏州中科中亿半导体材料有限公司正式投产。
中科中仪(以下简称“中科中仪”)”)自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片生产线正式建成并投入使用。
这意味着电力电子方向的功率氮化镓外延片生产将摆脱进口依赖,实现完全自主可控。
中科中亿依托先进的研发和产业化基础,专注于第三代半导体用大尺寸硅基氮化镓外延片的研发和制造,致力于为电力电子领域提供高品质氮化镓材料解决方案场地。
据介绍,中科众艺生产的氮化镓外延片氮化镓层厚度约为5μm,表面无裂纹,翘曲度小于μm。
室温下,HEMT结构的方块电阻为Ω/sq,二维电子气(2DEG)浓度约为8×cm-2,2DEG迁移率大于cm2/Vs,芯片内和芯片间芯片不均匀性小于1%,可以满足功率要求。

电子领域功率器件的开发和应用需求,在摆脱对进口设备依赖的同时,显着降低了氮化镓外延片的生产成本。
【全年计划】ACT国际商报旗下两本优秀杂志:《化合物半导体》 & 《半导体芯科技》 全年研讨会计划已出炉。
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