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新思科技完成三星全栅-全栅晶体管SoC的设计定型

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

-Fusion设计平台成功助力三星代工厂完成业界首款全栅-全栅晶体管SoC的设计定型——紧密合作推动持续创新并加速下一代工艺技术的开发加利福尼亚州山景城，3 月 7 日/美通社/ -- 新思科技 (Synopsys) 和三星代工厂 (Samsung Foundry) 专注而广泛的合作成功推出了经过硅验证的全能栅极场效应晶体管。

下一代晶体管技术采用Synopsys Fusion Design Platform（包括Design Compiler、IC Compiler II、PrimeTime和StarRC），通过全工艺验证实现目标功耗、性能和面积，IC Compiler II可实现高效的工艺实现路径查找，这是作为展示下一代技术可行性的关键，Synopsys 最近宣布，Synopsys Fusion Design Platform?（包括 IC Compiler? II 布局布线系统）已成功完成业界首个全环栅 (GAA) 系统开发片上（SoC）测试芯片（包括多个高性能、多核子系统）设计在三星敲定。

建立在多个成功的工艺和设计发布合作伙伴关系的基础上，这一重要的里程碑验证了 GAA 晶体管架构的可用性。

GAA 晶体管架构是支持先进半导体设计需求的下一代晶体管技术。

通过IC Compiler II的高度可扩展架构和工艺缩减能力，这一最新的突破性技术进一步证明了IC Compiler II作为业界首选先进工艺解决方案的地位。

三星电子设计平台开发执行副总裁Jaehong Park表示：“三星致力于为不同用户群体提供差异化??的工艺技术，取得了多项行业第一。

GAA测试芯片作为最新的设计定型，进一步验证了我们与新思科技 (Synopsys) 灵活、富有成效的合作实现了这一技术突破，展示了新思科技 (Synopsys) 作为行业领先创新者和值得信赖的技术合作伙伴的实力。

”工艺升级的最新挑战需要 EDA。

更好地发展行业和铸造厂之间的协作工作模式。

为了解决先进工艺技术带来的复杂性，包括更高的晶体管密度和利用率、设计规则和可布线性以及更高的可变性，优化的解决方案对于在新节点取得成功至关重要。

EUV制造技术有助于降低一些复杂性，但它导致布局对性能产生较大影响，因此单元之间的交互需要更多创新。

三星和新思科技在高利用率、可路由性和相关映射方法方面的合作需要一个强大的平台，这对于确保这个新节点的可行性至关重要。

此外，IC Compiler II多年来的改进与设计流程的布局、合法化和布线阶段的相关技术紧密结合，这对于三星减少流程整体逻辑面积的目标至关重要。

三星GAA技术的重要优势之一是实现更强的栅极控制和更低的内部晶体管寄生参数，这需要下一代优化技术来挖掘工艺PPA的综合潜力。

通过持续使用Synopsys的PrimeTime?时序和StarRC?寄生分析技术，IC Compiler IIsignoff相关分析引擎增强了其业界领先的全流程、总功耗驱动的优化框架，以确保更快、更高效地实现目标购电协议。

更多聚合。

新思科技完成三星全栅-全栅晶体管SoC的设计定型

有关 Fusion 设计平台的更多信息，请访问新思科技芯片设计部联席总经理 Sassine Ghazi 表示：“新思科技在支持最复杂的设计方面有着悠久的历史，并在通过先进工艺实现下一代高性能片上系统方面发挥着领导作用。

” 。

我们为此感到自豪。

三星代工厂是我们的长期合作伙伴，针对全栅极技术的IC Compiler II和Fusion Design Platform的部署有力地体现了Synopsys对高度差异化创新的持续投资以及通过合作加强行业实力。

领导。

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