Arm 和行业领导者成立了自动驾驶汽车计算协会
06-06
湖北九峰山实验室今年11月，九峰山实验室成功研制出基于氮化镓（GaN）材料的太赫兹肖特基二极管（SBD）。
经验证，该装置性能达到国际前沿水平。
肖特基二极管（SBD）技术是太赫兹领域广泛应用的核心技术。
这一成果突破了制约氮化镓SBD器件频率提升的行业瓶颈，为实现高频高效倍频电路提供了途径，也为重要器件的小型化、轻量化太赫兹源奠定了基础。
九峰山实验室的6英寸GaN SBD晶圆和结构正在开发面向未来的太赫兹核心技术。
太赫兹技术具有分辨率高、方向性强、信息量大、安全性好等优点。
肖特基二极管（SBD）是太赫兹领域中非常重要的一类器件。
它具有很强的容性非线性，可以产生输入信号频率的高次谐波，并将频率加倍以输出太赫兹（THz）信号。
氮化镓（GaN）的材料特性使此类器件具有高频、高功率、低损耗的优点。
因此，氮化镓肖特基二极管（GaN SBD）被认为是全固态、小型化、轻量化的。
量化太赫兹源的核心装置。
突破瓶颈，设备性能达到国际前沿水平。
传统氮化镓肖特基二极管存在串联电阻大、寄生电容高等问题，严重制约了器件频率的提升。
面对挑战，九峰山实验室研究中心无线技术组分析了制约器件频率特性提升的关键因素，从材料和器件两方面着手设计。
通过开发强极化超薄势垒的GaN异质结构，二维电子气的面密度和迁移率显着提高，材料电阻显着降低；同时，低寄生肖特基结结构有效降低了导通电压，减小了寄生电容，进一步改善了器件的频率特性。
仿真结果：在器件制备工艺方面，团队研发了高精度光刻和低损伤刻蚀技术，不断克服绝缘衬底GaN上小尺寸器件光刻曝光精度差、叠层公差大、刻蚀损伤大的问题。
一些关键流程问题；并制定并实施了全套的微观表征和电性能测试计划。
最终测试结果表明，该器件零偏置时最小结电容仅为6fF，最高截止频率超过1.5THz，处于国内领先、国际先进水平。
GaN SBD器件性能对比图 团队介绍 吴畅博士 九峰山实验室研究中心无线领域首席专家 华中科技大学集成电路学院兼职教授 湖北省电子信息标准化技术委员会委员。
主持或参与多项国家及省A部级重点研发项目，带领团队专注于创新毫米波、太赫兹和微波光子器件的基础研究，从物理基础、器件工艺和模型等方面入手，重点研究突破了新型三维栅极结构、强极化势垒、高鲁棒性器件模型等关键技术难点。
这些核心器件的基础研究为未来更高频率、更大带宽、更低功耗等通信传输需求提供了重要的技术支撑。
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，本站不拥有所有权，不承担相关法律责任。如果发现本站有涉嫌抄袭的内容，欢迎发送邮件 举报，并提供相关证据，一经查实，本站将立刻删除涉嫌侵权内容。
标签：
相关文章
06-06
06-18
06-18
06-17
06-17
06-18
06-17
最新文章
英特尔收购芯片制造商eASIC，进一步减少对CPU的依赖
西门子携手现代汽车、起亚公司，共同推动交通运输行业数字化转型
行业领导者制定 Open Eye MSA 来帮助实现高速光连接应用
三星电子和 NAVER 合作
意法半导体和 Leti 合作开发 GaN-on-Si 功率转换技术
青岛将大力发展高世代TFT-LCD和Micro LED项目
长电科技参加IMAPS器件封装大会
三星正式发布Exynos 990旗舰处理器