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新一代5纳米工艺芯片亮相，产品面积较上一代缩小24%

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

科技新闻当前全球芯片制造行业，除了台积电、格罗方德、三星，还有英特尔，他们拥有先进的生产技术。

IMEC除了拥有可生产先进逻辑计算芯片的强大生产能力外，还是晶圆制造领域技术研发的领先单位。

因此，继台积电和韩国三星相继透露布局5纳米先进工艺后，Amico也在上周宣布了一项新技术，打造全球最小的SRAM芯片。

它的芯片面积比之前的更大。

该产品体积缩小了24%，未来将适用于先进的5纳米工艺技术。

事实上，由于结构简单等因素，研发人员在每一代新工艺中都经常使用SRAM芯片进行测试。

其结果是，谁制造出核心面积更小的SRAM芯片，就意味着谁的工艺技术更先进。

此前的记录是三星今年2月在国际会议上宣布的6T Mb SRAM芯片，面积仅为0.mm2。

不过，上周Amico和Unisantis开发的新一代6T Mb SRAM芯片打破了这一记录。

核心面积仅为0.mm2至0.mm2，比三星的SRAM小24%。

新一代5纳米工艺芯片亮相，产品面积较上一代缩小24%

Amico表示，之所以能够大幅缩小面积，是因为采用了新的晶体管结构。

Unisantis和Amico采用Unisantis开发的垂直环栅晶体管（SGT）结构，最小栅间距仅为50nm。

在这个级别上，与标准GAA晶体管相比，垂直SGT单元GAA晶体管面积可减少20%至30%，同时在工作电压、漏电流和稳定性方面表现更好。

目前，Amico正在与Unisantis合作定制新工艺的关键工艺流程和步骤。

预计通过新工艺协同优化DTCO技术，研究人员将能够使用50nm间距制造0.mm2 SRAM单元。

未来，该工艺还可应用于5nm工艺节点。

此外，该工艺技术还可以利用EUV极紫外光刻技术来减少工艺步骤，这使得设计成本与传统FinFET工艺相当。

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