集微网消息:据businesskorea报道,三星电子将于今年6月开始量产7纳米(nm)极紫外(EUV)芯片。
三星电子计划于 6 月推出采用 7 纳米 EUV 工艺制造的应用处理器 (AP) Exynos。
该处理器预计将用于今年下半年发布的 Galaxy Note 10 旗舰机型。
到目前为止,新款 Galaxy Note 手机配备了与年初推出的 Galaxy S 手机相同的处理器。
如果这一预测成真,那么三星这次的计划将与往年有所不同。
与传统的ArF技术相比,EUV光刻可以在更短的波长下更精确地绘制详细的半导体电路图案。
三星电子解释称,与目前的10纳米工艺相比,7纳米EUV工艺可以将芯片尺寸缩小约40%,并将功率效率提高约50%。
虽然台积电领先于三星电子启动7nm工艺,但三星是第一家将EUV设备投入量产的公司。
台积电也正在抓紧量产华为使用的麒麟AP,采用7nm EUV工艺。
与三星一样,华为下半年很少发布新产品的新AP。
麒麟可能会在今年上半年推出,并搭载在华为 Mate 30 智能手机上。
三星电子副董事长金基南在上个月的股东大会上表示,他相信该公司能够先于竞争对手大规模生产7纳米EUV产品。
但台积电可能会在几天内成为第一家量产 7nm EUV 芯片的公司。

不过,尽管台积电在三星电子之前量产产品,但半导体行业观察人士指出,台积电并未将EUV设备应用于整个生产流程,而仅应用于少数生产流程。
前端工艺的战场已经从7纳米转向5纳米。
台媒报道称,台积电最近完成了5纳米工艺的半导体设计基础设施建设。
台积电多年来一直是苹果AP的独家制造商,预计将在A14上使用5nm工艺,这是苹果明年产品的AP。
英伟达的举动可能决定这家晶圆制造公司的未来命运。
目前已知的7纳米EUV客户包括苹果、三星电子移动部门、高通、华为和AMD。
能够利用最先进工艺的无晶圆厂公司并不多。
Nvidia首席执行官黄仁勋表示:“我们今年没有推出7nm显卡的计划。
”当年底产量稳定时,英伟达可能会选择5nm工艺。
三星电子晶圆制造部门总裁 Jung Eun-seung 在一次半导体设备国际会议上表示:“我们已经验证了 3nm 工艺的性能,并正在提高技术的完整性。
如果 Nvidia 选择三星电子的代工厂,与台积电的差距将明显缩小。
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