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06-18
Transphorm 发布最近公布的器件出货背后的质量和可靠性数据，包括早期故障率和现场故障率，提供业界首个完整的 V GaN 验证 (美国商业资讯)--Transphorm Inc ., 是设计和制造首款符合 JEDEC 和 AEC-Q 标准的最高可靠性 V 氮化镓 (GaN) 半导体的领导者，宣布推出 V 及更高电压下的氮化镓功率 FET (FET)。
这些数字是该公司 12 月份公告的延伸，该公告显示 Transphorm 的 GaN FET 出货量迄今为止已超过 250,000 个。
以下是 Transphorm 客户公开声称可靠性是客户选择 GaN 器件的主要因素背后的详细信息。
Transphorm 全球技术营销副总裁 Philip Zuk 解释道：“在电源转换市场，质量、可靠性和性能是衡量晶体管的三个主要指标。
我们始终坚信，优先考虑质量和可靠性才能实现高电压。
氮化镓的成功。
我们很自豪看到这一策略的积极成果，并认为有必要发布验证数据，以便潜在和现有客户能够了解 GaN 的真正功能。
”该公司提供了两项新数据。
— 早期故障率 (ELF) 和现场故障率 — 完成验证数据集，标志着高压 GaN 技术的另一个重要里程碑。
他们进一步认为，Transphorm 的 GaN 可靠性与其他硅和碳化硅 (SiC) 解决方案具有竞争力，预计将超过其他硅和碳化硅 (SiC) 解决方案 - 这是考虑到 Transphorm 的功率转换技术仍处于成熟的第一阶段，而硅晶体管早已成熟，并且SiC的发展已有十年的历史。
高压 GaN 可靠性：Big Picture Transphorm 的完整数据集解决了产品可靠性的五个方面： 产品认证：符合 JEDEC 和 AEC-Q 标准。
超出标准要求的测试：包括更高温度和电压下的开关、单粒子烧毁 (SEB)、HTOL 和 HTGB 测试。
固有寿命：衡量设备“老化”寿命的指标；还定义了故障模式和加速因素。
外在寿命或 ELF：一年内预测的现场故障率 FIT 或百万分率 (ppm)；用于保修计算。
现场故障率：衡量设备在客户应用中实际现场性能的指标。
Transphorm 质量和可靠性副总裁 Ron Barr 表示：“仅靠内在数据是不够的。
” “本质测试为我们提供了一个加速因子，我们将其与早期故障测试结合使用，以确定产品的早期故障率。
这使得客户能够轻松地对 GaN 器件进行准确的评估。
将内在数据与外在数据和现场故障率相结合，为 GaN FET 性能提供完整的基准。
“外在早期故障率。
内在故障率为产品的可靠性提供了不切实际的乐观数字。
ELF（或早期故障率）提供了 FIT 和 ppm 方面最真实的情况。
早期故障率是对可能情况的估计。
”评估材料、设计和过程控制中导致设备故障的潜在缺陷。
值得注意的是，ELF 是大多数客户保修索赔的原因，并且通常比老化故障更早发生且发生率更高。
ELF 数据应用于确定保修风险和成本。
Transphorm 的 ELF：FIT：0.45ppm：4 根据 Transphorm 的说法，现场故障率衡量的是客户系统中发生的设备数量相对于销售部件总数的比率。
售出超过 250,000 个 FET，累计运行超过 13 亿小时，产生以下现场故障率： FIT：3.1ppm：27.4（保守估计） Transphorm 的现场故障率与 SiC 相当，据报道，其值低于 5合身。
此外，无论应用如何，Transphorm 的 ppm 率都会随着时间的推移而持续下降，这表明其可靠性比目前报道的要好。
了解 Transphorm 的高压 GaN 开关可靠性。
ELF 和现场故障测试的详细信息。
本质寿命 本质寿命本质上是器件的理论寿命，它假设材料老化是影响元件寿命的唯一因素。
其数据是使用“故障物理学”方法获得的，通过增加电压和温度来测量故障时间并建立预测最终寿命的相关模型： 平均故障间隔时间 [MTBF] 1: 1e11 小时 [+10,000 年] 寿命2 [ppm]：一亿小时。
[11 年] 关于 Transphorm Transphorm 设计、制造和销售用于高压功率转换应用的最高性能、最高可靠性的 GaN 半导体。
该公司拥有全球最大的许可和待批准产品组合之一。
1、多项专利），生产业界唯一通过JEDEC和AEC-Q认证的GaN FET 网址： 中文网址： MTBF是指器件63.2%失效的时间2 Lifetime。
指设备使用量达到ppm/年时的老化阶段。
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