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06-18
随着中国“十四五”规划的提出和全球科技产业达成共识“碳达峰、碳中和”目标达成共识，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代新型半导体材料成为支撑5G基础设施和新能源产业核心技术的重要组成部分，特高压、轨道交通等领域。
数据显示，2018年我国“第三代半导体”产业电力电子和射频电子总产值突破1亿元，同比增长69.5%。
其中，SiC、GaN电力电子产值达44.7亿元，同比增长54%；氮化镓微波射频产值达60.8亿元，同比增长80.3%。
图1：2018年中国第三代半导体行业电力电子和射频电子总产值。
然而，第三代半导体行业存在相当大的进入壁垒。
由于SiC和GaN器件的性能与材料、结构设计和制造工艺之间的密切关系，为了保持竞争力，大多数半导体公司倾向于采用IDM模式来集成设计和制造。
例如，华润微建立了国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线； Innosec还成功扩建了其位于苏州的GaN生产基地，使其成为全球最大的8英寸GaN工厂。
显然，在全球半导体产能紧张的情况下，这些新开或扩建的生产线正在快速增加市场对半导体设备的需求。
以薄膜沉积这一必不可少的制造环节为例。
新产线的设备投资中，薄膜沉积设备约占支出的25%。
是半导体设备市场增长中不可忽视的一个环节。
因此，如何选择薄膜沉积设备来匹配宽带隙半导体制造工艺不断发展的需求，是许多第三代半导体制造商面临的难题。
专注于新工艺和新材料，拥有40年经验的沉积涂层专家为第三代半导体提供建议。
目前，业界主流的薄膜沉积工艺主要包括原子层沉积（ALD）、物理真空镀膜（PVD）和化学真空镀膜（CVD）。
其中，ALD是CVD的一种，是目前最先进的薄膜沉积技术。
那么，哪种沉积技术适合第三代半导体呢？行业领先的ALD设备制造商和服务商青岛四方思锐智能科技有限公司（以下简称思锐智能或SRII）总经理聂翔先生表示：“随着新材料、新工艺、新当应用于半导体制造领域时，半导体器件本身也在向着更复杂、更高深宽比、甚至3D异形结构发展，尤其是在摩尔领域以外的第三代半导体应用中。
ALD与其他镀膜技术相比具有不可替代的优势。
“在实际应用中，思瑞智能推出的新一代先进ALD设备可以以单原子薄膜（0.1nm）的形式在基板表面沉积材料，并在整个设备的镀膜控制上实现高精度。
以GaN功率器件为例，思瑞智能的ALD镀膜技术可以有效提升GaN器件的性能，一是可以通过ALD薄膜对器件表面进行钝化和覆盖；二是可以通过ALD薄膜实现栅极高K介质。
高质量沉积氧化铝；接下来，通过原位预处理去除自然氧化层，以实现表面稳定性；最后，通过高质量ALD氮化铝实现缓冲层，形成生产效率更高的量产解决方案。
图2：思锐智能推出GaN功率器件ALD镀膜解决方案 依托思锐智能旗下BENEQ近40年的ALD技术应用经验，思锐智能正在为业界提供广泛、通用、强大的解决方案。
设备产品组合，专注于ALD技术和服务的持续创新能力，获得了欧美、日本、中国等世界各地众多知名半导体公司的认可。
产能扩张下的半导体设备机遇，技术服务和供应链本土化的困境凸显了产能扩张的共性业态，正在为设备制造商创造新的机遇。
要“签大单”，设备商还需要不断提升服务质量，进一步巩固市场“护城河”。
比如，2017年完成全资收购BENEQ后，思瑞智能就一直追求“本土化、全球化”。
除了巩固欧美市场份额外，还扎根中国市场，培养本土国际化创新团队，逐步形成覆盖研发、售前、售后等各方面的完整服务网络，加强与不同地区的部署和合作。
、不同领域、不同机构的产业生态合作。
在谈到国产化的机遇与挑战时，聂翔表示：“中国市场不断涌现一大批半导体制造企业，思锐智能具有贴近客户的优势，在满足新工艺、新产品的需求后，材料应用方面，我们可以携手芬兰团队进行协同研发、联合创新。
另外，不同的客户在细节上有不同的要求，比如国内客户对交货期比较敏感，要求更快的服务响应速度。
这对本地化的技术服务能力提出了挑战，当然，为了实现更短的交货时间和更具竞争力的价格，供应链的安全和高效整合是非常重要的因素。
多多努力，积极推动供应链运作更高效、更符合市场需求！近日，SRI-i.com官网和微信公众号“SRI-i SRII”全新上线，更好地帮助当地客户清晰直观地了解SRI-i的应用领域和产品解决方案。
除了技术团队、供应链等本土化举措外，思瑞智能还在推动不同领域的区域合作。
青岛、上海、浙江、粤港澳大湾区等多个产业集聚区已纳入布局规划。
通过产业化基地、联合实验室、中试线等，我们致力于实现更多本土化创新，持续为行业提供一流、创新的产品解决方案。
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