芯片需求持续强劲，GlobalFoundries发布强劲前景
06-08
加利福尼亚州圣克拉拉，7 月 9 日 - 应用材料公司今天宣布推出可实现大批量生产的创新解决方案。
加速物联网、云计算新型存储器的产业应用进程。
几十年前开发并批量生产的内存技术，包括 DRAM、SRAM 和闪存，现在广泛用于各种数字设备和系统。
虽然以MRAM、ReRAM和PCRAM为代表的新型存储器能够带来独特的优势，但由于这些存储器采用了新材料，目前还很难实现大规模量产。
应用材料公司今天推出的新型制造系统可以以原子级精度沉积新型材料，解决了生产这些新型存储器的核心挑战。
这些系统是应用材料公司迄今为止开发的最先进的系统，可以实现这些有前景的新型存储器的可靠、工业规模生产。
应用材料公司半导体产品部高级副总裁兼总经理 Prabu Raja 博士表示：“我们今天推出的新 Endura? 平台是该公司有史以来生产的最复杂的芯片制造系统。
” “我们广泛的产品组合为我们提供了独特的优势，使我们能够成功地将多种材料工程技术与机载计量相结合，创造出前所未有的新薄膜和结构。
这些集成平台充分展示了新材料和3D架构可以发挥的关键作用，以及帮助计算行业优化性能、提高功耗和降低成本的新方法。
Mukesh Khare 表示：“IBM 多年来一直引领新型存储器的研发。
我们可以看到，随着人工智能时代对芯片性能和效率的要求越来越高，业界对新型存储器技术的需求也在不断增加。
” IBM 研究院半导体、人工智能硬件和系统副总裁。
“新材料和设备可以在这一过程中发挥重要作用，使这些面向物联网、云计算和人工智能的高性能、低功耗嵌入式存储器成功进入生产。
应用材料公司的大批量生产解决方案帮助行业加速获取这些新存储器。
” SK海力士先进薄膜技术部门负责人Sung Gon Jin表示：“对于云服务提供商和企业客户来说，效率是重中之重。
”具有高性能和降低功耗的新一代存储器我们非常重视我们的合作。
双方将与应用材料公司合作，聚焦前景广阔的新型存储器，共同加速新材料和大规模量产技术的开发。
“随着人工智能、机器学习和物联网的进步，计算工作负载变得越来越数据密集和复杂，这需要更多创新的存储技术来有效处理它们。
西部数据研究副总裁理查德·纽 (Richard New) 表示：“应用材料公司正在提供重要的技术，帮助业界加速获得 MRAM、ReRAM 和 PCRAM 等有前途的新型存储器。
“用于物联网（IoT）的MRAM计算机行业正在积极构建物联网（IoT），将传感器、计算和通信技术集成到数百亿台设备中，以监控设备环境、做出决策并将关键数据发送给MRAM（磁性随机存取存储器）是物联网设备中存储软件和人工智能算法的首选，MRAM 使用硬盘中常见的精密磁性材料，其固有的快速访问性能和非易失性确保了由于其快速访问性能和高耐用性，MRAM 最终可能会取代 SRAM，作为?? 3 级缓存集成到物联网 (IoT) 芯片的后端互连中。
层，从而实现更小的芯片尺寸和更低的成本应用材料公司的 Endura? Clover? MRAM PVD ??平台由九个专用工艺室组成。
，这些反应室全部集成在高真空、无尘环境中。
这是业界首个用于大规模生产的毫米级MRAM系统，其中每个反应室可以为至少30个MRAM存储器沉积多达五种不同的材料。
原子直径的一小部分的工艺变化就会极大地影响 Clover MRAM 的性能和可靠性。
PVD 平台采用机载计量技术，以亚埃灵敏度测量和监控所生产的 MRAM 层的厚度，确保原子级均匀性并避免暴露于外部环境的风险。
作为一种快速且高度耐用的非易失性存储器，MRAM有望取代嵌入式闪存和三级缓存SRAM，成为物联网（IoT）和人工智能应用的新宠。
”Spin Memory首席执行官Tom Sparkman表示，“应用材料公司推出的量产制造系统对行业生态系统起到了巨大的推动作用。
我们很高兴与应用材料公司合作创建 MRAM 解决方案并加速其工业应用。
。
“用于云计算的 ReRAM 和 PCRAM 随着当今的数据生成呈指数级增长，云数据中心中连接服务器和存储系统的数据路径的速度和功耗也需要实现数量级的提高。
ReRAM（电阻式 RAM）和 PCRAM（相变 RAM）是低功耗、高密度、高速非易失性存储器，可用作“存储级存储器”，以填补服务器 DRAM 和采用类似工作原理的 ReRAM 之间日益增长的性价比差距。
与由在数十亿个存储单元中选择性地形成细丝来表示数据的新材料制成的熔丝不同，PCRAM 使用 DVD 光盘中常见的相变材料，通过不间断地改变材料的状态。
与3D NAND存储器类似，ReRAM和PCRAM也采用3D结构排列，存储器制造商可以在替换过程中逐渐增加层数，从而稳步降低存储成本。
PCRAM 还有望支持和编程多种电阻率中间形式，以便在每个存储单元中可以存储多位数据。
ReRAM 和 PCRAM 的成本明显低于 DRAM，并且提供比 NAND 和硬盘更快的读取性能。
ReRAM 也是未来内存计算架构的首选产品，其中计算元件将集成到内存阵列中，以帮助克服与 AI 计算应用材料公司的 Endura? Impulse? PVD ??系统相关的数据传输瓶颈。
Endura? Impulse? PVD ??平台专为 PCRAM 和 ReRAM 打造，包含多达 9 个真空处理室，并集成板载计量技术，能够精确沉积和控制这些新型存储器中使用的多成分材料。
”能够非常均匀地沉积 ReRAM 存储器中使用的新材料是最大限度提高设备性能、可靠性和耐用性的关键。
“当我们与存储器和逻辑领域的客户合作研究 ReRAM 技术时，我们指定应用材料公司的 Endura Impulse PVD ??平台采用板载计量技术，因为它在上述重要指标上取得了巨大突破。
” 关于应用材料公司Materials, Inc.（纳斯达克代码：AMAT）是材料工程解决方案领域的领导者，为全球生产的几乎所有新芯片和先进显示器提供支持。
我们帮助客户利用能够在原子水平上大规模改变材料的技术实现可能的目标。
应用材料公司坚信，我们的创新将推动先进技术成就未来。
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