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意法半导体先进的碳化硅功率电子器件,助力雷诺-日产-三菱联盟下一代电动汽车快充技术研发

发布于:2024-06-06 编辑:匿名 来源:网络

意法半导体先进的碳化硅电力电子器件将助力雷诺-日产-三菱联盟开发下一代电动汽车快充技术 电动汽车快充技术研发 v 碳化硅(SiC)是一种性能极高的功率半导体技术为可持续智能出行带来广阔前景 v 意法半导体的SiC器件具有高能效、耐高温、高可靠性和小尺寸使电动汽车在中国更具吸引力,2019年9月10日 - 意法半导体(ST;纽约证券交易所股票代码:STM)跨越多种电子应用领域的世界领先半导体供应商,被雷诺-日产-三菱联盟指定为节能碳化硅 (SiC) 技术合作伙伴,为联盟的先进车载充电器 (OBC) 提供电力电子产品用于下一代电动汽车。

雷诺-日产-三菱联盟计划利用新的SiC电力技术开发更高效、更紧凑的大功率车载充电器,通过缩短充电时间和增加续航里程来进一步增强电动汽车的吸引力。

作为雷诺-日产-三菱联盟的先进SiC技术合作伙伴,意法半导体将提供设计集成支持,帮助联盟最大限度地提高车载充电器的性能和可靠性。

意法半导体还将向雷诺-日产-三菱联盟提供充电器相关组件,包括标准硅器件。

采用意法半导体碳化硅的汽车充电器计划于2019年进入量产。

“作为零排放电动汽车的先驱和全球领导者,我们的目标仍然是成为主流大众市场和价格实惠的电动汽车的全球第一供应商”,联盟电动和混合动力系统设计副总裁 Philippe Schulz 说道。

“在OBC中采用ST的SiC技术,实现体积小、重量轻和高能效,再加上电池效率的提高,我们将能够缩短充电时间并延长电动汽车的续航里程,从而加速电动汽车的应用汽车。

”意法半导体营销、传播和战略发展总裁Marco Cassis表示:“SiC技术可以减少汽车对化石燃料的依赖,提高能源效率,为世界环境保护做出贡献。

意法半导体已成功开发出SiC制造工艺,并建立了商业化符合行业标准的 SiC 产品组合,包括汽车级产品,基于我们的长期合作,我们正在与雷诺-日产-三菱联盟合作,以实现 SiC 为电动汽车带来的诸多优势。

项目还将提供具有卓越性能和实惠价格的高性能 SiC 芯片和系统,以确保通过提高规模经济取得成功。

“技术细节:车载充电(OBC) 在没有家庭充电系统或超级充电器的情况下,电动汽车需要车载充电器来处理标准路边充电。

充电时间取决于车载充电器的额定功率。

今天电动汽车车载充电机的额定功率为3kW至9kW,全球领先的电动汽车品牌雷诺-日产-三菱联盟为雷诺Zoe车型开发了一款22kW的车载充电机,可在一小时左右充满电。

通过升级车载充电器,利用意法半导体SiC功率半导体(MOSFET和整流二极管)的卓越能效和小尺寸,雷诺-日产-三菱联盟可以进一步减小充电器的尺寸、重量和成本。

同时提高充电能效,使未来车型对用户更具吸引力,并且更加环保。

新型紧凑型大功率车载充电机使设计人员能够更自由地设计车辆外观、优化车身结构、重量分布和车辆驾驶性能。

)技术 SiC 是一种经过验证的功率半导体技术,可用于开发高能效功率开关(MOSFET)和整流器(二极管)。

意法半导体先进的碳化硅功率电子器件,助力雷诺-日产-三菱联盟下一代电动汽车快充技术研发

产品可靠性经过实验论证,有可信的测试数据。

从工程和技术角度来看,SiC是一种宽带隙(WBG)半导体材料。

与传统硅基材料相比,碳化硅具有更高的开关频率和工作温度,以及更小的尺寸和外形尺寸。

这些优点使芯片设计人员能够更好地控制器件特性,以更好地平衡重要参数,例如:物理尺寸、MOSFET 导通电阻 (RDS(ON))、二极管正向电压 (VF) 以及电容和栅极电荷等因素(影响开启/关闭或反向恢复时间以及开关功耗)。

与传统硅相比,宽带隙半导体每单位面积可以承受更高的输入电压,这使得除了汽车充电器之外的轻型组件非常耐用且节能。

除汽车应用外,意法半导体的SiC MOSFET和整流器还广泛应用于可再生能源、工业自动化、高压直流配电、数据中心电源等设备领域的功率调节和转换,以及智能照明系统中能源效率是最重要的。

意法半导体先进的碳化硅功率电子器件,助力雷诺-日产-三菱联盟下一代电动汽车快充技术研发

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