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有望助力国内新型存储领域实现“弯道超车”，大陆首条阻变存储器中试线在临安开通！

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

杭州日报、芯源半导体西源半导体（杭州）有限公司（以下简称“芯源半导体”）牵头建设大陆首个28/22nm ReRAM（阻变存储器）12英寸试产生产线顺利竣工公司完成自主研发设备安装验收，实现中试线工艺流程衔接，并成功流片。

芯源半导体技术人员在中试线上进行设备调试。

新型存储器“钱晶”光狂在国家“十四五”规划纲要中，在加强原创性、引领性科技研究方面，“先进存储技术升级”被列入“科技攻关”研究重点领域而根据全球权威半导体市场研究机构Yole Development的统计，存储器整体市场空间将从2018年的1亿美元增长到2018年的1亿美元。

全球存储器市场规模及增速（ YOLE）目前我国正在大力发展存储产业：一方面在传统存储器上奋力追赶，比如长江存储全面致力于NAND Flash（闪存的一种）和长江存储另一方面，在专注于DRAM（动态随机存储器最常见的系统存储器）的长鑫存储器上，也随着万物智能互联时代的到来，提前布局新的存储器。

有望助力国内新型存储领域实现“弯道超车”，大陆首条阻变存储器中试线在临安开通！

针对未来人工智能（AI）、智能汽车、人工智能与物联网（AIOT）和边缘计算（EdgeComg）等对大容量存储器的需求，开发诸如随着DRAM和NAND闪存的高功耗和速度问题无法跟上时代的步伐。

简单来说，DRAM可存储可不存储（断电后数据丢失），NAND Flash可存储可不存储（读写速度低），如果NAND+DRAM一起使用，会造成能耗过高，而另一种常用的存储器Nor由于Flash存储密度低（存储容量低），无法嵌入28nm/22nm以下工艺，因此在现有基础上很难实现性能突破。

在市场的迫切需求下，研发生产兼具高存储密度、高速、低功耗、可嵌入28nm以下工艺的新一代存储器势在必行。

材料简单，成本低，但性能非凡。

目前，全球主流的新型存储器技术包括PCM（相变存储器）、FeRAM（铁电存储器）、MRAM（磁存储器）和ReRAM（电阻开关存储器）。

与其他几种新型存储技术相比，ReRAM需要更少种类的材料和额外的光掩模，从而可以实现更低的生产成本。

同时，业界普遍认为ReRAM能够完全满足神经形态计算、边缘计算等应用的能耗、性能和存储密度要求。

预计将广泛应用于AIoT、智能汽车、数据中心、AI计算（存储计算一体化）等领域。

应用。

数据驱动的未来已经到来。

“我们综合衡量密度、能效比、成本、工艺和良率，非常看好ReRAM存储器的技术和商业发展前景，因此将其作为我们的研发重点！”芯源半导体相关负责人表示。

国产内存有望“反超”新型内存核心。

在其开发中，需要使用传统的CMOS（互补金属氧化物半导体的缩写，一种用于制造大规模集成电路芯片的技术）或利用该技术进行制造。

在芯片）工艺中加入了一些特殊材料或工艺，而这些特殊材料或工艺的开发需要大量的实验和测试验证。

传统CMOS代工厂可能因资源限制而导致迭代速度较慢，从而影响工艺开发进度。

国内各大科研院所虽然可以在实验室阶段加快迭代速度，但并没有标准的12英寸量产线。

，实验结果往往难以走向量产。

芯源自建的28/22nm ReRAM（阻变存储器）12英寸中试生产线解决了上述问题。

借助代工厂和实验室的优势，迭代速度快、生产线灵活、知识产权自主可控，使得ReRAM相关产品的快速实现成为可能。

芯源半导体技术人员在中试线上进行设备测试。

“作为中国大陆第一条28/22nm ReRAM 12英寸中试生产线，我们产线的顺利投产以及完成产品验证和量产，将极大促进我国新型存储产业的发展。

”相关负责人芯源半导体相关负责人表示，“在这一领域，目前国内外差距较小，尚未形成壁垒，这为我国存储器产业实现‘弯道超车’提供了可能。

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